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IRF1010N 参数 Datasheet PDF下载

IRF1010N图片预览
型号: IRF1010N
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内容描述: 功率MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(ON) = 11mohm ,ID = 85A ) [Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=11mohm, Id=85A)]
分类和应用: 晶体晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 8 页 / 212 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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IRF1010N
100
LIMITED BY PACKAGE
80
V
DS
V
GS
R
G
R
D
D.U.T.
+
I
D
, Drain Current (A)
-
V
DD
60
V
GS
Pulse Width
≤ 1
µs
Duty Factor
≤ 0.1 %
40
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
20
V
DS
90%
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
, Case Temperature ( ° C)
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
1
Thermal Response (Z
thJC
)
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
P
DM
t
1
t
2
Notes:
1. Duty factor D = t
1
/ t
2
2. Peak T
J
= P
DM
x Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
0.1
0.01
0.00001
t
1
, Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
www.irf.com
5