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IRF1010N 参数 Datasheet PDF下载

IRF1010N图片预览
型号: IRF1010N
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内容描述: 功率MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(ON) = 11mohm ,ID = 85A ) [Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=11mohm, Id=85A)]
分类和应用: 晶体晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 8 页 / 212 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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IRF1010N
15V
E
AS
, Single Pulse Avalanche Energy (mJ)
500
TOP
400
VDS
L
D R IV E R
BOTTOM
ID
18A
30A
43A
RG
V
V
2 0
GS
D .U .T
IA
S
tp
+
V
- DD
300
A
0 .0 1
200
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
V
(B R )D S S
tp
100
0
25
50
75
100
125
150
175
Starting T , Junction Temperature(
°
C)
J
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
I
AS
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50KΩ
Q
G
12V
.2µF
.3µF
V
GS
Q
GS
V
G
Q
GD
V
GS
3mA
D.U.T.
+
V
-
DS
I
G
I
D
Charge
Current Sampling Resistors
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
6
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