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IRF640N 参数 Datasheet PDF下载

IRF640N图片预览
型号: IRF640N
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内容描述: 功率MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(ON) = 0.15ohm ,ID = 18A ) [Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.15ohm, Id=18A)]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 11 页 / 155 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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IRF640N/S/L
E
AS
, Single Pulse Avalanche Energy (mJ)
600
15V
500
ID
TOP
4.4A
7.6A
BOTTOM 11A
VDS
L
D R IV E R
400
RG
20V
D .U .T
IA
S
tp
+
- VD D
A
300
0 .0 1
200
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
V
(B R )D S S
tp
100
0
25
50
75
100
125
150
175
Starting T
J
, Junction Temperature (
°
C)
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
I
AS
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50KΩ
Q
G
12V
.2µF
.3µF
10 V
Q
GS
V
G
Q
GD
V
GS
3mA
D.U.T.
+
V
-
DS
I
G
I
D
Charge
Current Sampling Resistors
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
www.irf.com
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