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IRF640N 参数 Datasheet PDF下载

IRF640N图片预览
型号: IRF640N
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内容描述: 功率MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(ON) = 0.15ohm ,ID = 18A ) [Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.15ohm, Id=18A)]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 11 页 / 155 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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IRF640N/S/L
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
D.U.T
+
ƒ
-
+
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
‚
-
-
„
+

R
G
dv/dt controlled by R
G
Driver same type as D.U.T.
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
+
-
V
DD
Driver Gate Drive
P.W.
Period
D=
P.W.
Period
V
GS
=10V
*
D.U.T. I
SD
Waveform
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
di/dt
D.U.T. V
DS
Waveform
Diode Recovery
dv/dt
V
DD
Re-Applied
Voltage
Inductor Curent
Body Diode
Forward Drop
Ripple
5%
I
SD
*
V
GS
= 5V for Logic Level Devices
Fig 14.
For N-Channel HEXFET
®
Power MOSFETs
www.irf.com
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