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    IRFP054N 参数 Datasheet PDF下载

    IRFP054N图片预览
    型号： IRFP054N
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 功率MOSFET （ VDSS = 55V ， RDS（ON） = 0.012ohm ，ID = 81A ） [Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.012ohm, Id=81A)]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 111 K
    品牌： IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
     浏览型号IRFP054N的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRFP054N的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFP054N的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFP054N的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFP054N的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFP054N的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRFP054N的Datasheet PDF文件第8页  
    IRFP054N
    电气特性@ T
    J
    = 25 ℃（除非另有规定）
    V
    （ BR ） DSS
    ∆V
    （ BR ） DSS
    /∆T
    J
    R
    DS （ ON）
    V
    GS （ TH）
    g
    fs
    I
    DSS
    I
    GSS
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    L
    D
    L
    S
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    参数
    漏极至源极击穿电压
    击穿电压温度。系数
    静态漏 - 源极导通电阻
    栅极阈值电压
    正向跨导
    漏极至源极漏电流
    栅 - 源正向漏
    栅 - 源反向漏
    总栅极电荷
    栅极 - 源极充电
    栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    内部排水电感
    内部源极电感
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    分钟。
    55
    –––
    –––
    2.0
    30
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    典型值。
    –––
    0.06
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    11
    66
    40
    46
    5.0
    13
    2900
    880
    330
    MAX 。单位
    条件
    –––
    V
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = 250µA
    --- V / ° C参考到25° C，I
    D
    = 1毫安？
    0.012
    Ω
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 43A
    „
    4.0
    V
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 250µA
    –––
    S
    V
    DS
    = 25V ，我
    D
    = 43A…
    25
    V
    DS
    = 55V, V
    GS
    = 0V
    µA
    250
    V
    DS
    = 44V, V
    GS
    = 0V ，T
    J
    = 150°C
    100
    V
    GS
    = 20V
    nA
    -100
    V
    GS
    = -20V
    130
    I
    D
    = 43A
    23
    NC V
    DS
    = 44V
    53
    V
    GS
    = 10V ，参照图6和13
    „…
    –––
    V
    DD
    = 28V
    –––
    I
    D
    = 43A
    ns
    –––
    R
    G
    = 3.6Ω
    –––
    R
    D
    = 0.62Ω ，参照图10 ????
    D
    铅之间，
    –––
    6毫米（0.25英寸）。
    nH
    G
    从包
    –––
    而中心的模具接触
    S
    –––
    V
    GS
    = 0V
    –––
    pF
    V
    DS
    = 25V
    –––
    ƒ = 1.0MHz的，见图。 5 ？
    源极 - 漏极额定值和特性
    I
    S
    I
    SM
    V
    SD
    t
    rr
    Q
    rr
    参数
    连续源电流
    （体二极管）
    脉冲源电流
    （体二极管）
    
    二极管的正向电压
    反向恢复时间
    反向RecoveryCharge
    分钟。典型值。马克斯。单位
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    81
    240
    81†
    A
    290
    1.3
    120
    370
    V
    ns
    nC
    条件
    MOSFET符号
    展示
    G
    整体反转
    p-n结二极管。
    T
    J
    = 25 ° C，I
    S
    = 43A ，V
    GS
    = 0V
    „
    T
    J
    = 25 ° C，I
    F
    = 43A
    的di / dt = 100A / μs的
    „…
    D
    S
    注意事项：
    
    重复评价;脉冲宽度有限的
    最大。结温。 （参见图11）
    „
    脉冲宽度
    ≤
    300μS ;占空比
    ≤
    2%.
    …
    使用IRF1010N数据和测试条件
    †
    基于最大允许Caculated连续电流
    结温;对于推荐的电流处理的
    包参考设计提示＃ 93-4
    ‚
    V
    DD
    = 25V ，起始物为
    J
    = 25℃时，L = 390μH
    R
    G
    = 25Ω, I
    AS
    = 43A 。 （参见图12）
    ƒ
    I
    SD
    ≤
    43A ， di / dt的
    ≤
    260A / μs的，V
    DD
    ≤
    V
    （ BR ） DSS
    ,
    T
    J
    ≤
    175°C

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