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    IRFP054N 参数 Datasheet PDF下载

    IRFP054N图片预览
    型号： IRFP054N
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 功率MOSFET （ VDSS = 55V ， RDS（ON） = 0.012ohm ，ID = 81A ） [Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.012ohm, Id=81A)]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 111 K
    品牌： IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
     浏览型号IRFP054N的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRFP054N的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFP054N的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFP054N的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFP054N的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFP054N的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRFP054N的Datasheet PDF文件第8页  
    IRFP054N
    100
    V
    DS
    不限按包
    V
    GS
    R
    G
    R
    D
    D.U.T.
    +
    80
    -
    V
    DD
    I D ，漏电流（ A）
    10V
    60
    脉冲宽度
    ≤ 1
    µs
    占空比
    ≤ 0.1 %
    40
    图10A 。
    开关时间测试电路
    V
    DS
    20
    90%
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    175
    TC ，外壳温度
    ( ° C)
    10%
    V
    GS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    图9 。
    最大漏极电流比。
    外壳温度
    1
    图10B 。
    开关时间波形
    热响应（Z
    thJC
    )
    D = 0.50
    0.20
    0.10
    0.05
    0.02
    0.01
    单脉冲
    （热反应）
    0.1
    P
    DM
    t
    1
    t
    2
    注意事项：
    1.负载因数D = T
    1
    / t
    2
    2.峰值牛逼
    J
    = P
    DM
    X Z
    thJC
    + T
    C
    0.01
    0.00001
    0.0001
    0.001
    0.01
    0.1
    1
    t
    1
    ，矩形脉冲持续时间（秒）
    图11 。
    最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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