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IRFU9120NPBF 参数 Datasheet PDF下载

IRFU9120NPBF图片预览
型号: IRFU9120NPBF
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内容描述: HEXFET功率MOSFET ( VDSS = -100V , RDS ( ON) = 0.48ヘ, ID = -6.6A ) [HEXFET Power MOSFET ( VDSS = -100V , RDS(on) = 0.48ヘ , ID = -6.6A )]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 11 页 / 259 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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IRFR/U9120NPbF
100
100
-I
D
,漏极 - 源极电流(A )
-I
D
,漏极 - 源极电流(A )
VGS
顶部
-15V
-10V
-8.0V
-7.0V
-6.0V
-5.5V
-5.0V
BOTTOM -4.5V
VGS
-15V
-10V
-8.0V
-7.0V
-6.0V
-5.5V
-5.0V
BOTTOM -4.5V
顶部
10
10
1
1
-4.5V
20μs的脉冲宽度
T
J
= 150
°
C
1
10
100
-4.5V
0.1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
0.1
0.1
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
2.5
R
DS ( ON)
,漏极 - 源极导通电阻
(归一化)
I
D
= -6.7A
-I
D
,漏极 - 源极电流(A )
2.0
10
T
J
= 25
°
C
T
J
= 150
°
C
1.5
1.0
1
0.5
0.1
V DS = -50V
20μs的脉冲宽度
4
5
6
7
8
9
10
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= -10V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
-V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
J
,结温(
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系