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IRFU9120NPBF 参数 Datasheet PDF下载

IRFU9120NPBF图片预览
型号: IRFU9120NPBF
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内容描述: HEXFET功率MOSFET ( VDSS = -100V , RDS ( ON) = 0.48ヘ, ID = -6.6A ) [HEXFET Power MOSFET ( VDSS = -100V , RDS(on) = 0.48ヘ , ID = -6.6A )]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 11 页 / 259 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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IRFR/U9120NPbF
8.0
V
DS
V
GS
R
D
-I
D
,漏电流( A)
-10V
4.0
脉冲宽度
≤ 1
µs
占空比
≤ 0.1 %
图10A 。
开关时间测试电路
2.0
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
GS
10%
0.0
25
50
75
100
125
150
T
C
,外壳温度( ° C)
90%
V
DS
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10B 。
开关时间波形
10
热响应(Z
thJC
)
D = 0.50
1
0.20
0.10
0.05
0.1
0.02
0.01
单脉冲
(热反应)
P
DM
t
1
t
2
注意事项:
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.00001
t
1
,矩形脉冲持续时间(秒)
图11 。
最大有效瞬态热阻抗,结至外壳
+
-
6.0
R
G
D.U.T.
V
DD