IS42S16400
引脚功能
符号
A0-A11
PIN号
23至26
29至34
22, 35
TYPE
输入引脚
功能（详细）
地址输入： A0 - A11在活动进行采样
ISSI
命令（行地址A0 -A11 ）和读/写命令（ A0 -A7
与A10限定自动预充电）选择一个位置从存储器阵列的
在各个银行。预充电命令时A10采样
确定是否所有银行都必须预充电（ A10 HIGH）或选择银行
BA0 ， BA1 （ LOW ） 。地址输入也是一个LOAD期间提供操作码
模式寄存器命令。
输入引脚
输入引脚
输入引脚
银行选择地址： BA0和BA1定义哪些银行ACTIVE ， READ ，
写或预充电命令被应用。
CAS ，
在与结合
RAS
和
WE ，
形成设备的命令。见
"Command真相Table"对设备命令的详细信息。
®
BA0 ， BA1
CAS
CKE
20, 21
17
37
所述CKE输入确定CLK输入是否被使能。下一个上升沿
CLK信号的时候是CKE高的和无效的低电平时，将是有效的。当
CKE为低电平时，器件会在两种省电模式下，时钟挂起模式，
或自刷新模式。 CKE是一个异步输入。
CLK是主时钟输入此设备。除CKE ，所有输入到该
装置被同步于该引脚的上升沿取得。
该
CS
输入决定了装置内的指令输入是否被使能。
指令输入时启用
CS
低，与残疾人
CS
为HIGH 。该
设备保持在以前的状态时
CS
为高。
I / O0到I / O15的I / O引脚。 I / O通过这些引脚可以以字节为单位进行控制
使用LDQM和UDQM引脚。
LDQM和UDQM控制I / O缓冲器的下限和上限字节。在读
模式， LDQM和UDQM控制输出缓冲器。当LDQM UDQM或者是
低，相应的缓冲区的字节使能，而当高，残障人士。该
输出变为高阻状态时LDQM / UDQM高。这
功能对应于
OE
在传统的DRAM 。在写入模式下， LDQM和
UDQM控制输入缓冲器。当LDQM或UDQM为低电平时，对应的
缓冲器字节使能，并且数据可以被写入到该设备。当LDQM或
UDQM为高电平时，输入数据被屏蔽，并且不能写入到设备。
RAS ，
与联
CAS
和
WE ，
形成设备的命令。见
＆ QUOT ;命令真值表＆ QUOT ;关于设备命令的详细信息资料。
WE ，
与联
RAS
和
CAS ，
形成设备的命令。见
＆ QUOT ;命令真值表＆ QUOT ;关于设备命令的详细信息资料。
V
CCQ
是输出缓冲器的电源。
V
CC
是设备内部电源。
GND
Q
是输出缓冲器地面。
GND是设备内部的地面上。
CLK
CS
38
19
输入引脚
输入引脚
I / O0至
I/O15
LDQM ，
UDQM
2, 4, 5, 7, 8, 10,
11,13, 42, 44, 45,
47, 48, 50, 51, 53
15, 39
I / O引脚
输入引脚
RAS
WE
V
CCQ
V
CC
GND
Q
GND
18
16
3, 9, 43, 49
1, 14, 27
6, 12, 46, 52
28, 41, 54
输入引脚
输入引脚
电源引脚
电源引脚
电源引脚
电源引脚
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
目标特定网络阳离子
05/04/01
版本C
3
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
