IS42S16400
功能
（详细）
A0 -A11是在有效采样地址输入
（行地址A0 -A11 ）和读/写命令（ A0 -A7
与A10定义自动预充电） 。在A10采样
预充电命令，以确定是否所有银行都来
预充电（ A10 HIGH）或选择BA0银行，
BA1 （ LOW ） 。地址输入还提供操作码
在一个加载模式寄存器命令。
银行选择地址（ BA0和BA1 ）定义了银行
ACTIVE ，读，写或预充电命令是
被应用。
CAS ，
在与结合
RAS
和
WE ，
形成
设备的命令。请参阅“命令真值表”为
在设备命令的详细信息。
在CKE输入确定的CLK输入是否
启用。 CLK信号的一个上升沿将
有效时，是CKE高和无效时低。当
CKE是低电平时，该设备将在任一电源关闭
模式，时钟挂起模式，或自刷新
模式。 CKE是一个异步输入。
CLK是主时钟输入此设备。以外
CKE ，所有输入到该设备中synchroni-被收购
矩阵特殊积与该引脚的上升沿。
该
CS
输入决定命令输入是否是
在设备内启用。输入命令启用
当
CS
低，与残疾人
CS
为HIGH 。该
设备保持在以前的状态时
CS
为HIGH 。 I /
O0到I / O15的I / O引脚。 I / O通过这些引脚可
控制中使用LDQM和UDQM销字节单位。
LDQM和UDQM控制的下部和上部的字节
I / O缓冲器。在读模式， LDQM和UDQM控制
输出缓冲器。当LDQM UDQM或者是低，它对应
应的缓冲区字节使能，而当高，显示
体健。输出进入高阻抗状态时，
LDQM / UDQM高。此功能对应
OE
在传统的DRAM 。在写入模式下， LDQM和UDQM
控制输入缓冲器。当LDQM UDQM或为低，
对应的缓冲器字节使能，并且数据可以是
写入器件。当LDQM UDQM或为高，
输入数据是被屏蔽而不能写入器件。
RAS ，
与联
CAS
和
WE
，形成器件
命令。请参阅“命令真值表”项为
在设备命令的详细信息。
WE
在与结合
RAS
和
CAS
，形成器件
命令。请参阅“命令真值表”项为
在设备命令的详细信息。
V
CCQ
是输出缓冲器的电源。
V
CC
是设备内部电源。
GND
Q
是输出缓冲器地面。
GND是设备内部的地面上。
ISSI
读
®
READ命令选择银行从BA0 ， BA1
输入并启动突发读取访问活动行。
输入A0 -A7提供了起始列位置。当
A10为高电平时，该命令的功能为自动
预充电命令。当自动预充电是
选择时，被访问的行会在预充电
在读的最后破裂。该行将保持开放
随后的访问时，自动预充电不
选择。 DQ的读出的数据是受逻辑电平上
在DQM输入两个时钟更早。当一个给定的DQM
信号注册HIGH ，相应的DQ的意志
是高阻两个时钟后。 DQ公司将提供有效的数据
当DQM信号被登记为低电平。
写
突发写入访问活动行启动与
写命令。 BA0 ， BA1输入选择银行，并
起始列的位置由输入A0 - A7的设置。
不管是不是自动预充电时是阻止 -
通过A10开采。
被访问的行会在年底进行预充电
在写突发，如果自动预充电选择。如果
自动预充电没有被选择，则该行仍将
打开后续访问。
存储器阵列中写入相应的输入数据
DQ上的和DQM的输入逻辑电平出现在同一
时间。数据将被写入存储器时， DQM信号
低。当DQM为高电平时，相应的数据输入端
将被忽略，并且一写将不会被执行到
字节/列位置。
预充电
在预充电命令用于停用
开行特定的银行或开行的所有银行。
BA0 ， BA1 ，可用于选择银行被预充电
或者他们被视为“无关” 。 A10确定
一个或所有银行是否被预充电。执行后
该命令时，所选银行的下一个命令（多个）
在周期t的流逝之后被执行
RP
，这是
要求银行预充电时间。一旦银行有
预充电，它是在空闲状态中，并且必须
任何读取或写入的命令是之前被激活
颁发给该银行。
自动预充电
在自动预充电功能，可确保
预充电是在一个发起在最早有效阶段
爆裂。此功能允许个人银行预充电
而无需显式命令。 A10以使
在同一个spe-一起自动预充电功能
cific读或写命令。对于每个单独的
读或写命令，自动预充电或者是
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目标规范版本C
05/04/01
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
