IS45S16100C1
引脚功能
PIN号
20至24
27〜 32
符号
A0-A10
TYPE
输入引脚
功能（详细）
ISSI
®
A0到A10是地址输入。 A0 - A10是在主动作为行地址输入
在读或写命令的命令输入， A0 -A7为地址栏输入
输入。 A10也用在其它的命令，以确定在预充电模式。如果
A10是预充电命令在低， A11所选择的银行进行预充电，
但如果A10为高电平时，两家银行将预充电。
当A10是高读取或写入命令周期，预充电启动
后自动突发访问。
这些信号成为操作码的模式寄存器设置命令中的一部分
输入。
A11是所述存储体选择信号。当A11为低电平时，选择Bank 0时
高，银行1被选中。该信号成为操作码的过程模式部分
注册set命令的输入。
CAS ，
在与结合
RAS
和
WE ，
形成设备的命令。见
“命令真值表”项目有关的设备命令的详细信息。
所述CKE输入决定了装置内的CLK输入是否被使能。当
是CKE高电平时，在CLK信号的下一个上升沿将是有效的，和LOW时，
无效的。当CKE为低电平时，器件会无论是在掉电模式下，
时钟暂停模式或自刷新模式。所述CKE是一个异步输入。
CLK是主时钟输入此设备。除CKE ，所有输入到该设备
同步于该引脚的上升沿被获取。
该
CS
输入决定了装置内的指令输入是否被使能。
指令输入时启用
CS
低，与残疾人
CS
为HIGH 。该
设备保持在以前的状态时
CS
为高。
DQ0到DQ15是DQ引脚。通过这些引脚DQ可以以字节为单位进行控制
使用LDQM和UDQM引脚。
LDQM和UDQM控制的DQ缓冲器的下限和上限字节。在读
模式， LDQM和UDQM控制输出缓冲器。当LDQM UDQM或为低，
相应的缓冲区的字节使能，而当高，残障人士。输出去
到高阻抗状态时LDQM / UDQM为HIGH 。此功能
对应于
OE
在传统的DRAM 。在写入模式下， LDQM和UDQM控制
输入缓冲器。当LDQM或UDQM为低电平时，对应的缓冲器字节是
启用，并且数据可以被写入到该设备。当LDQM UDQM或为高，输入
数据被屏蔽，不能写入设备。
RAS ，
与联
CAS
和
WE ，
形成设备的命令。见
“命令真值表”项目有关的设备命令的详细信息。
WE ，
与联
RAS
和
CAS ，
形成设备的命令。见
“命令真值表”项目有关的设备命令的详细信息。
VDDQ是输出缓冲器的电源。
VDD是器件内部电源。
GNDQ是输出缓冲器地面。
GND是设备内部的地面上。
19
A11
输入引脚
16
34
CAS
CKE
输入引脚
输入引脚
35
18
CLK
CS
输入引脚
输入引脚
2, 3, 5, 6, 8, 9, 11
12, 39, 40, 42, 43,
45, 46, 48, 49
14, 36
DQ0到
DQ15
LDQM ，
UDQM
DQ引脚
输入引脚
17
15
7, 13, 38, 44
1, 25
4, 10, 41, 47
26, 50
RAS
WE
VDDQ
VDD
GNDQ
GND
输入引脚
输入引脚
电源引脚
电源引脚
电源引脚
电源引脚
集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
版本C
01/03/06
3
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
