IS45S16100C1
AC特性
(1,2,3)
-7
符号参数
t
CK
3
t
CK
2
t
AC
3
t
AC
2
t
CHI
t
CL
t
OH
3
t
OH
2
t
LZ
t
HZ
3
t
HZ
2
t
DS
t
DH
t
AS
t
AH
t
中正
t
长实
t
CKA
t
CS
t
CH
t
RC
t
RAS
t
RP
t
RCD
t
RRD
t
DPL
3
t
DPL
2
t
DAL
3
t
DAL
2
t
T
t
REF
时钟周期时间
从CLK访问时间
(4)
CLK高电平宽度
CLK低电平宽度
输出数据保持时间
输出低阻抗时间
输出高阻抗的时间
(5)
输入数据建立时间
输入数据保持时间
地址建立时间
地址保持时间
CKE建立时间
CKE保持时间
CKE到CLK恢复延迟时间
命令设置时间（ CS ，
RAS ， CAS，WE ，
DQM ）
命令保持时间（ CS ，
RAS ， CAS，WE ，
DQM ）
指令周期（ REF至REF / ACT来ACT ）
命令时期（ ACT来PRE ）
指令周期（ PRE到ACT ）
主动命令读/写命令延迟时间
命令时期（ ACT [ 0 ]到ACT [1] ）
输入数据预充电
命令延迟时间
CAS
延时= 3
CAS
延时= 2
输入数据，以主动/刷新
CAS
延时= 3
命令延迟时间（在自动预充电）
CAS
延时= 2
转换时间
刷新周期时间（ 4096 ）
CAS
延时= 3
CAS
延时= 2
CAS
延时= 3
CAS
延时= 2
CAS
延时= 3
CAS
延时= 2
CAS
延时= 3
CAS
延时= 2
分钟。
7
8
—
—
2.5
2.5
2.0
2.5
0
—
—
2
1
2
1
2
1
1CLK+3
2
1
63
42
20
16
14
1CLK
1CLK
1CLK+t
RP
1CLK+t
RP
1
—
马克斯。
—
—
5.5
6
—
—
—
—
—
5.5
6
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
100,000
—
—
—
—
—
—
—
10
64
ISSI
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
®
注意事项：
1.当首次加电，内存操作应开始为100μs后V
DD
和V
DDQ
到达规定的电压。还要注意的是
POWER- ON
顺序必须起始内存操作之前执行。
2.测量与T
T
= 1纳秒。
3.测量输入信号时序时，参考电平为1.4 V 。上升和下降时间V之间测量
IH
（分钟）和V
IL
（最大） 。
4.访问时间的测量是在1.4V与下图中示出的负载。
5.时间t
HZ
（最大）从V定义为所需的输出电压，以过渡时间由± 200毫伏
OH
（分钟）或V
OL
（最大）时的
输出处于高阻抗状态。
集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
版本C
01/03/06
7
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
