IS45S16100C1
ISSI
速度
分钟。
–5
–5
2.4
—
—
—
马克斯。
5
5
—
0.4
140
160
单位
µA
µA
V
V
mA
mA
®
DC电气特性
（推荐工作条件，除非另有说明。 ）
符号参数
I
IL
输入漏电流
I
OL
V
OH
V
OL
I
CC1
测试条件
0V
≤
V
IN
≤
VDD ，与销比其他
在0V测试针
输出漏电流
输出时， 0V
≤
V
OUT
≤
VDD
输出高电压I级
OUT
= -2毫安
输出低电压I级
OUT
= 2毫安
工作电流
(1,2)
一家银行工作，
CAS
延时= 3
突发长度= 1
t
RC
≥
t
RC
（分）
I
OUT
= 0毫安
预充电待机电流CKE
≤
V
IL
(
最大
)
t
CK
= t
CK
(
民
)
（掉电模式）
主动待机电流
CKE
≥
V
IH
(
民
)
（在非掉电模式）t
CK
=
∞
工作电流
（在突发模式）
(1)
t
CK
= t
CK
(
民
)
I
OUT
= 0毫安
t
CK
=
∞
t
CK
= t
CK
(
民
)
A
A1
A
A1
A
A1
A
A1
A
A1
A
A1
-7
-7
I
CC2P
I
CC2PS
I
CC3N
I
CC3NS
I
CC4
A
A1
A
A1
CAS
延时= 3
CAS
延时= 2
I
CC5
自动刷新当前
t
RC
= t
RC
(
民
)
CAS
延时= 3
CAS
延时= 2
I
CC6
自刷新电流
CKE
≤
0.2V
—
—
—
—
—
—
—
-7
-7
-7
-7
-7
-7
-7
-7
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
3
4
2
3
40
30
30
130
150
130
150
70
90
70
90
1
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
注意事项：
1.这些是在最小循环时间的值。由于电流瞬变，这些值减小，周期时间
增加。还注意的是，至少为0.01 μF的旁路电容应V之间插入
DD
和GND为每
内存芯片来抑制电源噪声电压（电压降），由于这些瞬态电流。
2.电流Icc
1
和ICC
4
依赖于输出负载。该最大值的Icc
1
和ICC
4
与输出开路状态而异。
6
集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
版本C
01/03/06
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
