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IS61LV51216-10TI 参数 Datasheet PDF下载

IS61LV51216-10TI图片预览
型号: IS61LV51216-10TI
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内容描述: 512K ×16高速异步静态CMOS与3.3V供电的RAM [512K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 15 页 / 117 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
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IS61LV51216
IS64LV51216
读周期开关特性
(1)
(以上经营范围)
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
CE
存取时间
OE
存取时间
OE
到输出高阻态
OE
以低Z输出
CE
到输出高阻态
CE
以低Z输出
LB , UB
存取时间
LB , UB
到输出高阻态
LB , UB
以低Z输出
电时间
关机时间
-8
分钟。马克斯。
8
3
0
0
3
0
0
0
8
8
3.5
3
3
3.5
3
8
-10
分钟。马克斯。
10
3
0
0
3
0
0
0
10
10
4
4
4
4
3
10
-12
分钟。马克斯。
12
3
0
0
0
3
0
0
0
12
12
5
5
6
5
4
12
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ISSI
®
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
HZOE
(2)
t
LZOE
(2)
t
HZCE
(2
t
LZCE
(2)
t
BA
t
HZB
(2)
t
LZB
(2)
t
PU
t
PD
注意事项:
1.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间,定时1.5V的参考电平,输入脉冲0V水平
在图1中规定的3.0V输出负载。
2.在图测试与负载2的过渡,从稳态电压测量± 500毫伏。
AC波形
读周期1号
(1,2)
(地址控制) ( CE =
OE
= V
IL
,
UB
or
LB
= V
IL
)
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
D
OUT
以前的数据有效
t
OHA
数据有效
READ1.eps
6
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1-800-379-4774
Rev. D的
12/06/05