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    IS61LV51216-10TI 参数 Datasheet PDF下载

    IS61LV51216-10TI图片预览
    型号： IS61LV51216-10TI
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 512K ×16高速异步静态CMOS与3.3V供电的RAM [512K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 15 页 / 117 K
    品牌： ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
     浏览型号IS61LV51216-10TI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IS61LV51216-10TI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IS61LV51216-10TI的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IS61LV51216-10TI的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IS61LV51216-10TI的Datasheet PDF文件第10页浏览型号IS61LV51216-10TI的Datasheet PDF文件第11页浏览型号IS61LV51216-10TI的Datasheet PDF文件第12页浏览型号IS61LV51216-10TI的Datasheet PDF文件第13页  
    IS61LV51216
    IS64LV51216
    AC波形
    写周期NO 。 1
    （ CE控制，
    OE
    是高还是低）
    (1 )
    ISSI
    ®
    1
    2
    t
    HA
    t
    WC
    地址
    有效的地址
    t
    SA
    CE
    t
    SCE
    WE
    t
    AW
    t
    PWE1
    t
    PWE2
    t
    PBW
    3
    4
    t
    LZWE
    高-Z
    UB ， LB
    t
    HZWE
    D
    OUT
    数据中，未定义
    5
    t
    HD
    数据
    IN
    有效
    UB_CEWR1.eps
    t
    SD
    D
    IN
    6
    7
    8
    9
    10
    11
    12
    注意事项：
    1.写是低状态的重叠时内部产生的信号断言
    CE
    和
    WE
    输入
    和所述至少一个
    LB
    和
    UB
    投入低状态之中。
    2.写= （ CE）
    [
    （LB） = （UB）
    ]
    （WE） 。
    集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com -
    1-800-379-4774
    Rev. D的
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