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IS61LV51216-10TI 参数 Datasheet PDF下载

IS61LV51216-10TI图片预览
型号: IS61LV51216-10TI
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内容描述: 512K ×16高速异步静态CMOS与3.3V供电的RAM [512K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 15 页 / 117 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
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IS61LV51216
IS64LV51216
写周期开关特性
(1,3)
(以上经营范围)
符号
参数
写周期时间
CE
撰写完
地址建立时间
撰写完
从写端地址保持
地址建立时间
LB , UB
有效到结束写入的
WE
脉冲宽度
WE
脉冲宽度( OE = LOW )
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE
从低到高-Z输出
WE
前高后低-Z输出
-8
分钟。马克斯。
8
6.5
6.5
0
0
6.5
6.5
8.0
5
0
2
3.5
-10
分钟。马克斯。
10
8
8
0
0
8
8
10
6
0
2
5
-12
分钟。马克斯。
12
8
8
0
0
8
8
12
6
0
2
6
ISSI
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
®
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWB
t
PWE
1
t
PWE
2
t
SD
t
HD
t
HZWE
(2)
t
LZWE
(2)
注意事项:
1.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间,定时1.5V的参考电平,输入脉冲0V水平
在图1中规定的3.0V输出负载。
2.在图测试与负载2的过渡,从稳态电压测量± 500毫伏。未经100%测试。
3.内部写入时间由的重叠限定
CE
低,
UB
or
磅,
WE
低。所有信号都必须在有效状态
开始写的,但任何一个可以变为无效,终止写入。数据输入建立时间和保持时间都引用
到终止写信号的上升沿或下降沿。在发展中阴影区域的产品
8
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1-800-379-4774
Rev. D的
12/06/05