欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

IS62C1024-70Q 参数 Datasheet PDF下载

IS62C1024-70Q图片预览
型号: IS62C1024-70Q
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 128K ×8高速CMOS静态RAM [128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 8 页 / 70 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
 浏览型号IS62C1024-70Q的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IS62C1024-70Q的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IS62C1024-70Q的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IS62C1024-70Q的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IS62C1024-70Q的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IS62C1024-70Q的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IS62C1024-70Q的Datasheet PDF文件第8页  
IS62C1024
真值表
模式
未选择
(掉电)
输出禁用
WE
X
X
H
H
L
CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
OE
X
X
H
L
X
I / O操作
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
VCC电流
I
SB
1
, I
SB
2
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
I
CC
I
CC
ISSI
®
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
相对于GND端子电压
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流(低)
价值
-0.5到+7.0
-10至+85
-65到+150
1.5
20
单位
V
°C
°C
W
mA
注意事项:
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力等级的设备仅运行在
这些或任何上述其他条件在此业务部门所标明
规范是不是暗示。长期在绝对最大额定值条件下,其
期间可能会影响其可靠性。
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意事项:
1.测试开始后任何设计或工艺变化,可能会影响这些参数。
2.测试条件:T已
A
= 25 ° C,F = 1MHz时, VCC = 5.0V 。
DC电气特性
(以上经营范围)
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
测试条件
V
CC
=最小值,我
OH
= -1.0毫安
V
CC
=最小值,我
OL
= 2.1毫安
分钟。
2.4
2.2
–0.3
–5
–10
–5
–10
马克斯。
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
5
10
5
10
单位
V
V
V
V
µA
µA
GND
V
IN
V
CC
GND
V
OUT
V
CC
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
注意事项:
1. V
IL
= -3.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
集成的芯片解决方案,公司 - 1-800-379-4774
启摹
01/14/00
3