IS62C1024
读周期2号
(1,3)
t
RC
ISSI
®
地址
t
AA
t
OHA
OE
t
美国能源部
t
HZOE
CE1
t
ACE1/
t
ACE2
t
LZOE
CE2
t
LZCE1/
t
LZCE2
高-Z
t
HZCE
数据有效
DOUT
注意事项：
1.
WE
高一读周期。
2.该装置被连续地选择。
OE ， CE1
= V
IL
， CE2 = V
IH
.
3.地址之前或重合是有效的
CE1
LOW和HIGH CE2过渡。
写周期开关特性
(1,3)
（以上经营范围，标准和低功耗）
-35
符号
参数
写周期时间
CE1
撰写完
CE2撰写完
地址建立时间撰写完
从写端地址保持
地址建立时间
WE
脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE
从低到高-Z输出
WE
前高后低-Z输出
分钟。
35
25
25
25
0
0
25
20
0
—
3
马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
10
—
分钟。
45
35
35
35
0
0
35
25
0
—
5
-45
马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
15
—
分钟。
55
50
50
45
0
0
40
25
0
—
5
-55
马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
20
—
-70
分钟。马克斯。
70
60
60
60
0
0
50
30
0
—
5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
25
—
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
WC
t
SCE
1
t
SCE
2
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
(4)
t
SD
t
HD
t
HZWE
(2)
t
LZWE
(2)
注意事项：
1.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V和
在图1a中指定的输出负载。
2.测试，与图1b中的负荷。转变是从稳态电压测量± 500 mV的。未经100％测试。
3.内部写入时间由的重叠限定
CE1
LOW ， HIGH CE2和
WE
低。所有信号必须在有效状态，以
开始写的，但任何一个可以变为无效，终止写入。数据输入建立时间和保持时间都参考了
上升或下降并因此终止了写入的信号的边沿。
4.与测试
OE
高。
6
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
启摹
01/14/00
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
