IS62C1024-70Q 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IS62C1024-70Q
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内容描述：	128K ×8高速CMOS静态RAM [128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM]
分类和应用：	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小：	8 页 / 70 K
品牌：	ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]

IS62C1024

电源特性

(1)

（以上经营范围）

符号参数

VCC工作动态

电源电流

TTL待机电流

（ TTL输入）

CMOS待机

电流（ CMOS输入）

测试条件

=最大，

= V

OUT

= 0 mA时，女= F

最大

COM 。

IND 。

-35

分钟。马克斯。

—

150

160

-45

分钟。马克斯。

—

135

145

-55

分钟。马克斯。

—

120

130

ISSI

-70

分钟。马克斯。

—

100

单位

=最大，

COM 。

= V

或V

CE1

≥

印第安纳州。

或CE2

≤

, f = 0

=最大，

COM 。

CE1

≤

– 0.2V,

IND 。

CE2

≤

0.2V, V

≥

– 0.2V,

或V

≤

0.2V ， F = 0

注意事项：

1.在f = F

最大

，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。

AC测试条件

参数

输入脉冲电平

输入上升和下降时间

输入和输出时序

和参考电平

输出负载

单位

0V至3.0V

5纳秒

1.5V

请参阅图1a和1b

AC测试负载

480

Ω

480

Ω

产量

100 pF的

INCLUDING

夹具

范围

255

Ω

产量

5 pF的

INCLUDING

夹具

范围

255

Ω

图1A 。

图1B 。

集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774

启摹

01/14/00

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