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IXFN100N20 参数 Datasheet PDF下载

IXFN100N20图片预览
型号: IXFN100N20
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内容描述: HiPerFET功率MOSFET [HiPerFET Power MOSFETs]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 115 K
品牌: IXYS [ IXYS CORPORATION ]
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IXFK100N20
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
60
9000
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V , F = 1兆赫
1600
590
30
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 • V
DSS
, I
D
= 0.5 • I
D25
R
G
= 1
W
(外部)
80
75
30
380
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 • V
DSS
, I
D
= 0.5 • I
D25
70
190
TO- 264 AA
TO- 264 AA
miniBLOC , SOT- 227 B
miniBLOC , SOT- 227 B
0.05
0.15
0.24
0.25
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
K / W
K / W
IXFN90N20
IXFN106N20
TO- 264 AA大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G( ON)的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 • I
D25
,脉冲测试
DIM 。
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
毫米
分钟。
马克斯。
4.82
2.54
2.00
1.12
2.39
2.90
0.53
25.91
19.81
5.46
0.00
0.00
20.32
2.29
3.17
6.07
8.38
3.81
1.78
6.04
1.57
5.13
2.89
2.10
1.42
2.69
3.09
0.83
26.16
19.96
BSC
0.25
0.25
20.83
2.59
3.66
6.27
8.69
4.32
2.29
6.30
1.83
英寸
分钟。
马克斯。
.190
.202
.100
.114
.079
.083
.044
.056
.094
.106
.114
.122
.021
.033
1.020
1.030
.780
.786
0.215 BSC
.000
.010
.000
.010
.800
.820
.090
.102
.125
.144
.239
.247
.330
.342
.150
.170
.070
.090
.238
.248
.062
.072
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
测试条件
V
GS
= 0 V
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
IXFK90N20
IXFN100N20
IXFN106N20
IXFK90N20
IXFN100N20
IXFN106N20
90
100
106
360
424
1.5
200
A
A
A
A
A
V
ns
mC
A
miniBLOC , SOT- 227 B
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
重复;
脉冲宽度限制T
JM
I
F
= 100 A,V
GS
= 0 V,
脉冲测试,T
£
300
女士,
占空比ð
£
2 %
I
F
= 50 A, -di / DT = 100 A / MS ,V
R
= 100 V
3
38
供应M4螺丝(4次)
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
毫米
分钟。
马克斯。
31.50
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
英寸
分钟。
马克斯。
1.240
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
1.255
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
25.07 0.968
0.1 -0.002
版权所有©2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-4