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    IXFN100N20 参数 Datasheet PDF下载

    IXFN100N20图片预览
    型号： IXFN100N20
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： HiPerFET功率MOSFET [HiPerFET Power MOSFETs]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 4 页 / 115 K
    品牌： IXYS [ IXYS CORPORATION ]
     浏览型号IXFN100N20的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IXFN100N20的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXFN100N20的Datasheet PDF文件第4页  
    IXFK100N20
    图。 1输出特性
    200
    180
    160
    140
    120
    100
    80
    60
    40
    20
    0
    5V
    6V
    V
    GS
    = 10V
    T
    J
    = 25°C
    9V
    8V
    7V
    IXFN90N20
    IXFN106N20
    图。 2输入导纳
    200
    180
    160
    140
    120
    100
    80
    60
    40
    20
    0
    I
    D
    - 安培
    I
    D
    - 安培
    T
    J
    = 25°C
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    8
    9
    10
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    8
    9
    10
    V
    DS
    - 伏特
    V
    GS
    - 伏特
    图。 3 R
    DS （ ON）
    与漏电流
    2.6
    2.4
    T
    J
    = 25°C
    2.50
    2.25
    图。 4温度依赖性
    的漏极至源极电阻
    R
    DS （ ON）
    - 归
    R
    DS （ ON）
    - 归
    2.2
    2.0
    1.8
    1.6
    1.4
    1.2
    1.0
    0.8
    0
    50
    100
    150
    200
    250
    300
    350
    V
    GS
    = 15V
    V
    GS
    = 10V
    2.00
    1.75
    1.50
    1.25
    1.00
    0.75
    0.50
    -50
    -25
    0
    25
    50
    75
    100 125 150
    I
    D
    = 53A
    I
    D
    - 安培
    T
    J
    - 摄氏度
    120
    100
    图。 5漏极电流 -
    外壳温度
    106N20
    1.2
    1.1
    图。 6温度依赖性
    分解和阈值电压
    V
    GS （ TH）
    BV
    DSS
    BV / V
    G（ TH ）
    - 归
    25
    50
    75
    100 125 150
    I
    D
    - 安培
    80
    60
    40
    20
    0
    -50
    90N20
    1.0
    0.9
    0.8
    0.7
    0.6
    -25
    0
    0.5
    -50
    -25
    0
    25
    50
    75
    100 125 150
    T
    C
    - 摄氏度
    T
    J
    - 摄氏度
    版权所有©2000 IXYS所有权利。
    3-4

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