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IXFN280N085 参数 Datasheet PDF下载

IXFN280N085图片预览
型号: IXFN280N085
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内容描述: HiPerFET功率MOSFET的单芯片MOSFET [HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 136 K
品牌: IXYS [ IXYS CORPORATION ]
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IXFN280N085
图。 1.扩展的输出特性
@ 25ºC
350
300
250
V
GS
= 10V
9V
8V
300
V
GS
= 10V
9V
8V
7V
图。 2.输出特性
@ 125ºC
250
I
D
- 安培
200
150
100
6V
I
D
- 安培
7V
200
6V
150
100
5V
50
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
50
5V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
图。 。R
DS ( ON)
归到我
D
= 140A的价值
- 结温
1.8
1.7
1.6
V
GS
= 10V
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.7
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.9
0
图。 4. ř
DS ( ON)
归到我
D
= 140A的价值
与漏电流
V
GS
= 10V
T
J
= 125ºC
R
DS ( ON)
- 归
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
I
D
= 280A
I
D
= 140A
R
DS ( ON)
- 归
1.5
T
J
= 25ºC
50
100
150
200
250
300
350
T
J
- 摄氏
I
D
- 安培
图。 5,最大漏极电流与
外壳温度
220
200
外部引线电流限制
180
160
300
275
250
225
图。 6.正向电压降
征二极管
I
D
- 安培
140
120
100
80
60
40
20
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
S
- 安培
200
175
150
125
100
75
50
25
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
T
J
= 25ºC
T
J
= 125ºC
T
C
- 摄氏
V
SD
- 伏特
© 2008 IXYS公司,保留所有权利。
IXYS REF : F_280N085 ( 9Y - N17 ) 08年12月2日-A