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IXFN280N085 参数 Datasheet PDF下载

IXFN280N085图片预览
型号: IXFN280N085
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内容描述: HiPerFET功率MOSFET的单芯片MOSFET [HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 136 K
品牌: IXYS [ IXYS CORPORATION ]
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IXFN280N085
图。 7.输入导纳
180
160
140
100
140
T
J
= - 40ºC
120
25ºC
图。 8.跨导
I
D
- 安培
120
100
80
60
T
J
= 125ºC
25ºC
- 40ºC
g
F小号
- 西门子
125ºC
80
60
40
40
20
0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
20
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。 9.电容
100
10
图。 10.栅极电荷
f
= 1兆赫
电容 - 纳法
9
8
西塞
7
V
DS
= 43V
I
D
= 100A
I
G
= 10毫安
V
GS
- 伏特
35
40
6
5
4
3
2
10
科斯
CRSS
1
1
0
5
10
15
20
25
30
0
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
V
DS
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.最大瞬态热阻抗
1.000
Z
(日) JC
- C / W
0.100
0.010
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度 - 秒
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。