IXTP8N50P 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IXTP8N50P
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	PolarHV功率MOSFET N沟道增强型额定雪崩 [PolarHV Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小：	5 页 / 228 K
品牌：	IXYS [ IXYS CORPORATION ]

IXTA 8N50P

IXTP 8N50P

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C除非另有说明）

分钟。

典型值。

马克斯。

1050

= 0 V, V

= 25 V ， F = 1兆赫

120

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= I

D25

= 18

Ω

（外部）

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 0.5 I

D25

0.83 ° C / W

(TO-220)

0.25

C / W

TO- 263 （ IXTA ）大纲

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

G（ ON）的

thJC

乡镇卫生院

= 10 V ;我

= 0.5 I

D25

，脉冲测试

源极 - 漏极二极管

符号

测试条件

= 0 V

重复

特征值

= 25 ℃，除非另有规定）

分钟。

典型值。

马克斯。

1.5

400

TO- 220 （ IXTP ）大纲

= I

, V

= 0 V,

脉冲测试，T

≤

300

µs,

占空比ð

≤

2 %

= 8 A，V

=0V, V

=100V

-di / DT = 100 A / μs的

销： 1 - 门

3 - 来源

2 - 漏极

4 - 漏极

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT均受4835592

一个或moreof以下美国专利： 4850072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,381,025

5,486,715

6,162,665

6,259,123 B1

6,306,728 B1

6,404,065 B1

6,534,343

6,583,505

6,683,344

6,710,405B2

6,710,463

6,727,585

6,759,692

6,771,478 B2

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案