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    IXTP8N50P 参数 Datasheet PDF下载

    IXTP8N50P图片预览
    型号： IXTP8N50P
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PolarHV功率MOSFET N沟道增强型额定雪崩 [PolarHV Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 5 页 / 228 K
    品牌： IXYS [ IXYS CORPORATION ]
     浏览型号IXTP8N50P的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IXTP8N50P的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXTP8N50P的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXTP8N50P的Datasheet PDF文件第5页  
    IXTA 8N50P
    IXTP 8N50P
    图。 7.输入上将ittance
    14
    12
    10
    14
    12
    10
    图。 8.跨导
    T
    J
    = -40
    º
    C
    25
    º
    C
    125
    º
    C
    I
    D
    - 安培
    8
    6
    4
    2
    0
    3.5
    4
    4.5
    5
    5.5
    6
    6.5
    7
    T
    J
    = 125
    º
    C
    25
    º
    C
    -40
    º
    C
    - 西门子
    8
    6
    4
    2
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    12
    14
    V
    的s
    - V OLTS
    图。 9.源币种鄂西北VS 。
    酸味CE - 要漏V oltage
    24
    10
    9
    20
    16
    8
    7
    V
    DS
    = 250V
    I
    D
    = 4A
    I
    G
    =一千万
    g
    fs
    I
    D
    - 一个mperes
    图。 10.栅极电荷
    I
    S
    - 安培
    V
    的s
    - 伏特
    T
    J
    = 25
    º
    C
    0.7
    0.8
    0.9
    1
    6
    5
    4
    3
    2
    1
    12
    T
    J
    = 125
    º
    C
    8
    4
    0
    0.4
    0.5
    0.6
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    G
    10
    12
    14
    16
    18
    20
    22
    V
    S.D。
    - V OLTS
    图。 11.电容
    10000
    F = 1MH ž
    100
    Q
    - nanocoulombs
    图。 12. FORW ARD偏置
    安全Ope宇宙ř阿婷氩E A
    R
    DS （ ON）
    LIM它
    ç国际空间站
    电容 - 皮法
    I
    D
    - 安培
    1000
    10
    25µs
    100µs
    1
    T
    J
    = 150ºC
    1米s
    DC
    10米s
    ç OSS
    100
    ç RSS
    10
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    35
    40
    0.1
    10
    T
    C
    = 25ºC
    100
    1000
    V
    ð S
    - V OLTS
    IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
    V
    ð S
    - V OLTS

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