莱迪思半导体公司
架构
的LatticeXP系列数据手册
莱迪思设计工具支持创建各种不同大小的回忆。在适当情况下,该软
洁具将建设代表了PFU的能力,这些采用分布式内存的原语。表2-3
示以实现不同的分布式RAM基元所需要的片数。图2-4显示了解散
布式存储原始的框图。双端口存储器包括两片,一片职能配对
作为读 - 写端口。其他同伴Slice支持只读端口。有关内存模式的更多信息
在的LatticeXP设备,请参阅在此数据表的末尾附加技术文件的详细信息。
表2-3 。片所需的数量实现分布式RAM
SPR16x2
片数
1
DPR16x2
2
注: SPR =单端口RAM , DPR =双端口RAM
图2-4 。分布式存储器基元
SPR16x2
AD0
AD1
AD2
AD3
DI0
DI1
WRE
CK
DPR16x2
DO0
DO1
WAD0
WAD1
WAD2
WAD3
DI0
DI1
WCK
WRE
RAD0
RAD1
RAD2
RAD3
RDO0
RDO1
WDO0
WDO1
ROM16x1
AD0
AD1
AD2
AD3
DO0
ROM模式:
该ROM模式使用相同的主要为RAM的模式,但如果没有写入端口。预加载
通过在CON组fi guration的编程接口来完成。
操作PFU模式
切片可在PFU内被组合以形成更大的功能。表2-4以表格形式列出这些模式并记录
功能可能在PFU水平。
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