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GM71C4400CR-70 参数 Datasheet PDF下载

GM71C4400CR-70图片预览
型号: GM71C4400CR-70
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内容描述: 1,048,576字× 4BIT CMOS动态RAM [1,048,576 WORDS x 4BIT CMOS DYNAMIC RAM]
分类和应用: 内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 9 页 / 107 K
品牌: LG [ LG SEMICON CO.,LTD. ]
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LG的Semicon
GM71C(S)4400C/CL
参数
输入电容(地址)
输入电容(时钟)
数据输入,输出电容(数据输入,输出)
电容
(V
CC
= 5V +/- 10% ,T
A
= 25C)
符号
C
I1
C
I2
C
I / O
-
-
-
最大
5
7
10
单位
§Ü
§Ü
§Ü
1
1
1, 2
注: 1,电容用Boonton的仪表或有效电容测量方法测量。
2. CAS = V
IH
禁用ð
OUT
.
AC特性
(V
CC
= 5V +/- 10% ,T
A
= 0 〜 70℃ ,注意事项1, 14 , 15 , 16 )
测试条件
输入上升和下降时间: 5ns的
输出负载: 2 TTL门+ C
L
(100§Ü)
输入,输出时序参考电平: 0.8V , 2.4V
(包括范围和夹具)
读,写,读 - 修改 - 写和更新周期
(公用参数)
符号
参数
随机读或写周期时间
RAS预充电时间
RAS脉冲宽度
CAS脉冲宽度
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址建立时间
列地址保持时间
RAS到CAS的延迟时间
RAS到列地址的延迟时间
RAS保持时间
CAS保持时间
CAS到RAS预充电时间
OE到D
IN
延迟时间
从D- OE延迟时间
IN
CAS建立时间从D-
IN
转换时间
(上升和下降)
刷新周期
刷新周期(L -版本)
-
-
GM71C (S ) 4400 GM71C ( S) 4400 GM71C ( S) 4400
C/CL-60
C/CL-70
C/CL-80
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
最小值最大值最小值最大值最小值最大值
110
40
60
15
0
10
0
15
20
15
15
60
10
15
0
0
3
-
-
10,000
10,000
t
RC
t
RP
t
RAS
t
CAS
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
RCD
t
拉德
t
RSH
t
CSH
t
CRP
t
ODD
t
DZO
t
DZC
t
T
t
REF
130
50
70
20
0
10
0
15
20
15
20
70
10
20
0
0
3
-
-
-
-
10,000
10,000
150
60
80
20
0
10
0
15
20
15
20
80
10
20
0
0
3
-
-
-
-
10,000
10,000
-
-
-
-
45
30
-
-
-
-
-
-
50
16
128
-
-
-
-
50
35
-
-
-
-
-
-
50
16
128
-
-
-
-
60
40
-
-
-
-
-
-
50
16
128
8
9
7
4