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GM71C4400CR-70 参数 Datasheet PDF下载

GM71C4400CR-70图片预览
型号: GM71C4400CR-70
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内容描述: 1,048,576字× 4BIT CMOS动态RAM [1,048,576 WORDS x 4BIT CMOS DYNAMIC RAM]
分类和应用: 内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 9 页 / 107 K
品牌: LG [ LG SEMICON CO.,LTD. ]
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LG的Semicon
GM71C(S)4400C/CL
10. t
WCS
, t
RWD
, t
CWD
t
CPW
和T
AWD
不是限制性的操作参数。它们都包含在
数据表作为唯一的电气特性;如果T
WCS
& GT ; = T
WCS
(分钟) ,则该循环是一个早期的写周期
和数据输出引脚将保持开路(高阻抗)在整个周期;如果
t
RWD
& GT ; = T
RWD
(分钟) ,T
CWD
& GT ; = T
CWD
(分钟) ,T
AWD
& GT ; = T
AWD
(MIN)和叔
CPW
& GT ; = T
CPW
(分钟) ,则该循环是一个只读
修改 - 写入和数据输出将包含从所选择的单元中读取数据;如果没有的
上述套的条件被满足时,所述数据输出的条件(在存取时间)是
不确定的。
11.这些参数是参照CAS领先优势在早期写周期和WE领先
边缘延迟写入或读 - 修改 - 写周期。
12. t
RASP
定义快速页面模式的周期RAS脉冲宽度。
13.存取时间为t的长决定
AA
或T
CAC
或T
ACP
.
14. 100us的初始暂停后开机后至少需要8
初始化周期( RAS只刷新周期或CAS RAS的刷新周期前) 。如果内部
刷新计数器时,最小的8 CAS RAS的刷新需要周期之前。
15.在延迟写入或读 - 修改 - 写周期, OE必须禁止输出缓冲器申请之前,
数据到该设备。
本数据表中指定的16.测试模式操作2位测试功能通过控制控制
地址位 - - - CA0 。这种测试模式的操作可以通过WE-和- CAS先于RAS来执行
( WCBR )刷新周期。测试模式操作期间刷新将由正常读被执行
周期或WCBR刷新周期。当两个测试位的状态给予彼此的
输出数据的条件是较低的水平。为了结束这种测试模式运作,进行RAS
只刷新周期或CAS先于RAS的刷新周期。
17.在一个测试模式读周期, t值
RAC
, t
AA
, t
CAC ,
t
OAC
和T
ACP
延迟2ns的时间来为5ns的
指定的值。这些参数应在测试模式下循环通过将指定
上述值在此数据表中的规定值。
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