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MRF175GV 参数 Datasheet PDF下载

MRF175GV图片预览
型号: MRF175GV
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内容描述: N沟道MOS宽带射频功率FET [N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FETs]
分类和应用: 晶体晶体管射频放大器局域网
文件页数/大小: 10 页 / 209 K
品牌: MA-COM [ M/A-COM TECHNOLOGY SOLUTIONS, INC. ]
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TYPICAL CHARACTERISTICS
500
200
100
50
20
10
5
0
C
rss
C
iss
POWER GAIN (dB)
C
oss
V
GS
= 0 V
f = 1 MHz
30
25
20
15
10
5
V
DS
= 50 V
I
DQ
= 2 x 100 mA
C, CAPACITANCE (pF)
P
out
= 200 W
150 W
20
30
40
10
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
50
5
10
20
50
100
f, FREQUENCY (MHz)
200
500
Figure 6. Capacitance versus Drain–Source Voltage*
* Data shown applies to each half of MRF176GU/GV
Figure 7. Power Gain versus Frequency
MRF176GV
300
Pout , POWER OUTPUT (WATTS)
Pout , OUTPUT POWER (WATTS)
V
DD
= 50 V
200
40 V
320
280
240
200
160
120
80
40
12
0
30
32
34
38
40
42
44
V
DS
, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
36
46
48
50
I
DQ
= 2 x 100 mA
f = 225 MHz
P
in
= 6 W
4W
2W
100
I
DQ
= 2 x 100 mA
f = 225 MHz
0
0
6
P
in
, POWER INPUT (WATTS)
Figure 8. Power Input versus Power Output
Figure 9. Output Power versus Supply Voltage
REV 9
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