MRF175GV 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MRF175GV
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内容描述：	N沟道MOS宽带射频功率FET [N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FETs]
分类和应用：	晶体晶体管射频放大器局域网
文件页数/大小：	11 页 / 214 K
品牌：	MA-COM [ M/A-COM TECHNOLOGY SOLUTIONS, INC. ]

电气特性 - 续

= 25 ° C除非另有说明）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

基本特征

(1)

栅极阈值电压（V

= 10 V，I

= 100 mA时）

漏源电压（V

= 10 V，I

= 5.0 A)

正向跨导（V

= 10 V，I

= 2.5 A)

GS （ TH）

DS （ ON）

1.0

0.1

2.0

3.0

0.9

3.0

6.0

1.5

—

VDC

姆欧

动态特性

(1)

输入电容（V

= 28 V, V

= 0中，f = 1.0 MHz）的

输出电容（V

= 28 V, V

= 0中，f = 1.0 MHz）的

反向传输电容（V

= 28 V, V

= 0中，f = 1.0 MHz）的

国际空间站

OSS

RSS

—

180

200

—

功能特性 - MRF175GV

（2）（图1）

共源功率增益

= 28伏直流电，P

OUT

= 200 W， F = 225 MHz时，我

= 2.0× 100 mA时）

漏EF网络效率

= 28伏直流电，P

OUT

= 200 W， F = 225 MHz时，我

= 2.0× 100 mA时）

电气耐用

= 28伏直流电，P

OUT

= 200 W， F = 225 MHz时，我

= 2.0 ×100毫安，

驻波比10 ： 1 ，在所有相位角）

注意事项：

1.装置的每一侧分别测得。

2.测在推挽式结构。

在输出功率不降低

—

BIAS 0-6 V

C10

28 V

D.U.T.

C1 - 阿科404 ， 8.0-60 pF的

C2，C3 ，C7，C8 - 1000pF的片状

C4, C9 — 0.1

µF

芯片

C5 - 180 pF的芯片

C6 - 100 pF和130 pF的芯片并行

C10 — 0.47

µF

芯片，基美1215或同等

L1 - 10圈AWG ＃ 16漆包线，关闭

L1 —

伤口1/4“内径

L2 - 为合适的材料铁氧体磁珠

L2 —

1.5–2.0

µH

总电感

板材料 - .062 “玻璃纤维（ G10 ），

两个双面， 1盎司铜，

除非另有说明，所有的片式电容器

在ATC类型100或同等学历。

R1 - 100欧姆， 1/2 W¯¯

R2 - 1.0千欧， 1/2 W¯¯

T1 - 4 ： 1阻抗比RF变压器。

T1 —

可制成25欧姆同轴电缆半刚性，

T1 —

47-52密尔外径

T2 - 1 ： 9阻抗比RF变压器。

T2 —

可制成15-18欧姆半刚性

T2 —

哄， 62-90密尔外径

注：对于稳定性，输入变压器T1应加载

注意：

用铁氧体磁环或磁珠，以增加公共

注意：

模电感。对于低于100 MHz的操作。该

注意：

同样是必需的输出变压器。

图1. 225 MHz的测试电路

转8

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