欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

79LV0832RT4QI-25 参数 Datasheet PDF下载

79LV0832RT4QI-25图片预览
型号: 79LV0832RT4QI-25
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 8兆位( 256K ×32位),低电压的EEPROM MCM [8 Megabit (256K x 32-Bit) Low Voltage EEPROM MCM]
分类和应用: 存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 21 页 / 459 K
品牌: MAXWELL [ MAXWELL TECHNOLOGIES ]
 浏览型号79LV0832RT4QI-25的Datasheet PDF文件第1页浏览型号79LV0832RT4QI-25的Datasheet PDF文件第2页浏览型号79LV0832RT4QI-25的Datasheet PDF文件第3页浏览型号79LV0832RT4QI-25的Datasheet PDF文件第5页浏览型号79LV0832RT4QI-25的Datasheet PDF文件第6页浏览型号79LV0832RT4QI-25的Datasheet PDF文件第7页浏览型号79LV0832RT4QI-25的Datasheet PDF文件第8页浏览型号79LV0832RT4QI-25的Datasheet PDF文件第9页  
低电压8兆位( 256K ×32位) EEPROM MCM
T
ABLE
5. 79LV0832 ç
APACITANCE
(T
A
= 25
°
C,F = 1兆赫)
P
ARAMETER
输入电容: V
IN
= 0V
1
S
YMBOL
C
IN
C
IN
OE
C
IN
WE
C
IN
CE
0-1
C
IN
A0-A16
C
IN
水库
输出电容: V
OUT
= 0V
1
C
OUT
RDY / BSY
C
Ø UT
D0-D31
1.设计保证。
M
IN
--
--
--
--
--
--
--
--
79LV0832
M
AX
6
6
6
6
6
48
6
12
pF
U
NIT
pF
T
ABLE
6. 79LV0832 DC ê
LECTRICAL
C
极特
(V
CC
= 3.3V ±10 % ,T
A
= -55
TO
+125°C)
内存
P
ARAMETER
T
美东时间
C
ONDITION
S
YMBOL
I
LI
S
UBGROUPS
1, 2, 3
M
IN
--
M
AX
4
2
720
2
720
2
U
尼特
µA
µA
µA
µA
µA
µA
mA
mA
mA
输入漏电流
1
V
IN
= V
CC
A0 - A16 , CE , WE , OE
输入漏电流
D0-D31
待机V
CC
当前
1
V
IN
=V
IH
V
IN
=0V
V
IN
=V
CC
I
LI
I
LO
I
CC1A
I
CC1B
I
CC1C
I
CC2A
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
--
--
--
--
1, 2, 3
4
4
80
15
15
24
输出漏电流(V
CC
= 3.6V, V
OUT
= 3.6V/0.4V)
CE = ADDR = WE = OE = V
CC
CE = ADDR = WE = OE = V
IH
CE = V
IH
; ADDR = WE = OE = 0V
操作
V
CC
当前
1,3
OE = 0V ; ADDR = WE = V
CC
I
OUT
= 0毫安,CE税= 100 % ,
周期= 1我们在V
CC
= 3.6V
OE = ADDR = WE = 0V
I
OUT
= 0毫安,CE税= 100 % ,
周期= 1我们在V
CC
= 3.6V
OE = 0V ; ADDR = WE = V
CC
I
OUT
= 0毫安,CE税= 100 % ,
周期= 200纳秒在V
CC
=3.6V
OE = ADDR = WE = 0V
I
OUT
= 0毫安,CE税= 100 % ,
周期= 200纳秒在V
CC
= 3.6V
输入电压
I
CC2B
1, 2, 3
--
40
mA
I
CC2C
1, 2, 3
60
mA
I
CC2D
1, 2, 3
--
100
mA
V
IL
V
IH
RES_PIN
V
H
1, 2, 3
2.2
V
CC
-0.5
0.8
V
05年1月10日8版本
所有数据表如有变更,恕不另行通知
4
©2005麦克斯韦技术
版权所有