低电压8兆位（ 256K ×32位） EEPROM MCM
T
ABLE
6. 79LV0832 DC ê
LECTRICAL
C
极特
(V
CC
= 3.3V ±10 ％ ，T
A
= -55
TO
+125°C)
P
ARAMETER
输出电压
T
美东时间
C
ONDITION
S
YMBOL
S
UBGROUPS
M
IN
--
79LV0832
M
AX
0.4
0.4
--
--
U
尼特
V
V
V
V
V
V
OL
数据线： V
CC
分钟，我
OL
= 2.1毫安
1, 2, 3
RDY / BSY_Line ： V
CC
分钟，我
OL
= 12毫安
V
OL
数据线： V
CC
分钟，我
OH
= -400µ A
V
OH
RDY / BSY_Line ： V
CC
分钟，我
OH
= -12mA
V
OH
所有输出： V
CC
分钟，我
OH
=-100uA
1.所有输入连接至Vcc与5.5KW
电阻器，除了RES是30KW 。
2.对于RES I
LI
= 800uA最大值。
3.只有一个CE有效（低电平）的时间
2.4
2.4
V
CC
-0.3V
T
ABLE
7. 79LV0832 AC ê
LECTRICAL
C
极特FOR
R
EAD
O
PERATION 1
(V
CC
= 3.3V ±10 ％ ，T
A
= -55
TO
+125°C)
P
ARAMETER
地址访问时间CE = OE = V
IL
我们= V
IH
-200
-250
芯片使能存取时间OE = V
IL
我们= V
IH
-200
-250
输出启用访问时间CE = V
IL
我们= V
IH
-200
-250
输出保持到地址变更CE = OE = V
IL
我们= V
IH
-200
-250
输出禁止到高阻
2
CE = V
IL
我们= V
IH
-200
-250
CE = OE = V
IL
我们= V
IH
-200
-250
RES到输出延迟CE = OE = V
IL
我们= V
IH3
-200
-250
S
YMBOL
t
加
S
UBGROUPS
9, 10, 11
--
--
t
CE
9, 10, 11
--
--
t
OE
9, 10, 11
0
0
t
OH
9, 10, 11
0
0
9, 10, 11
t
DF
0
0
t
DFR
0
0
T
RR
9, 10, 11
0
0
525
550
300
350
ns
50
50
ns
ns
--
--
110
120
ns
200
250
ns
200
250
ns
M
IN
M
AX
U
NIT
ns
内存
1.测试条件：输入脉冲电平= 0.4V至2.2V ;输入上升和下降时间< 20纳秒;输出负载= 1 TTL门+ 100 pF的（包括
范围和夹具） ;参考电平测量时间= 0.8 V / 1.8 V
2. t
DF
和T
DFR
被定义为在其输出成为一个开放电路和数据将不再被驱动的时间。
3.通过设计保证。
05年1月10日8版本
所有数据表如有变更，恕不另行通知
5
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