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MX29F800TTC-12 参数 Datasheet PDF下载

MX29F800TTC-12图片预览
型号: MX29F800TTC-12
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内容描述: 8M - BIT [ 1Mx8 / 512Kx16 ] CMOS FLASH MEMORY [8M-BIT [1Mx8/512Kx16] CMOS FLASH MEMORY]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 42 页 / 693 K
品牌: MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
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MX29F800T/B
命令德网络nitions
设备操作都通过写入特定网络Ç AD-选择
礼服和数据序列到命令寄存器。
书写不正确的地址和数据值,或将它们写
在不当的顺序将重置设备的
阅读模式。表1定义了有效的命令寄存器
表2. MX29F800T / B总线操作
引脚
模式
阅读硅ID
须经制造商代码( 1)
阅读硅ID
设备代码( 1 )
待机
输出禁用
部门保护( 6 )
芯片撤消
验证扇区保护( 6 )
RESET
L
H
L
L
L
L
L
X
L
X
H
H
H
X
H
L
A0
X
X
A0
X
X
X
X
A1
X
X
A1
X
X
H
X
A6
X
X
A6
L
H
X
X
A9
X
X
A9
V
ID
(2)
V
ID
(2)
V
ID
(2)
X
L
L
H
H
L
X
V
ID
(2)
L
L
H
L
L
X
V
ID
(2)
C2H (字节模式)
00C2H (字模式)
D6H / 58H (字节模式)
22D6H / 2258H (字模式)
D
OUT
高Z
高Z
D
IN
(3)
X
X
Code(5)
高Z
CE
OE
WE
A0
A1
A6
A9
Q0 ~ Q15
序列。需要注意的是擦除挂起( B0H )和
删除恢复( 30H )命令都必须同时
扇区擦除操作正在进行。任一
两个复位命令序列将重设
设备(如适用) 。
V
ID
(2) L
V
ID
(2) L
L
X
H
X
注意事项:
1.制造商和设备代码,也可以通过命令寄存器写入顺序访问。参照表1 。
2. VID是硅-ID-读高电压, 11.5V至12.5V 。
3.在写入操作期间,请参阅表1为有效数据输入。
4, X可以为VIL或VIH 。
五码= 00H / 0000H意味着保护。
码= 01H / 0001H手段加以保护。
6, A18 〜 A12 =扇区地址部门保护。
P / N : PM0578
REV 。 1.7 ,七月24 , 2001年
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