MX29F800T/B
读/复位命令
通过写入的启动的读或复位操作
读/复位命令序列进入命令稳压
存器。微处理器读周期获取数组数据。
该器件保持启用，直到读取的COM
命令寄存器的内容被改变。
如果程序出现故障或擦除失败发生， F0H的写操作
重置设备中止操作。一个有效的COM
命令必须被写入到将设备中的
理想状态。
SET -UP自动排屑/扇区擦除
COMMANDS
芯片擦除是六总线周期操作。有两种
＆ QUOT ;解锁＆ QUOT ;写周期。这些后面是写
＆ QUOT ;建立＆ QUOT ;命令80H 。两个＆ QUOT ;解锁＆ QUOT ;写赛扬
克莱斯再其次是芯片擦除命令10H进行。
自动芯片擦除不需要的设备
是完全预编程执行之前
自动芯片擦除。当执行自动
芯片擦除，设备会自动和编程
验证整个存储器为一个全零的数据模式。
当该装置被自动验证，以含有
全零的模式，自定时芯片擦除和验证BE-
杜松子酒。擦除和验证操作完成时
Q7上的数据是"1" ，此时设备返回到
读模式。该系统不要求提供
在这些操作任何控制或时间。
当使用自动芯片擦除算法，记
该擦除自动终止充足时，
擦除裕度已经达到了存储器
阵列（不需要擦除验证指令） 。
如果擦除操作是不成功的，在数据
Q5是"1" （见表4 ），表明擦除操作
超过内部时序限制。
自动擦除开始上的上升沿
最后WE或CE ，先发生者为准脉冲在
命令序列和终止时的数据上
Q7是"1"和Q6的数据停止切换两CON-
secutive读周期，此时设备返回
为读模式。
硅-ID的读命令
闪存被用于在应用程序中使用
其中本地CPU改变存储器的内容。因此，
制造商和设备代码必须是可访问的，而
该设备驻留在目标系统。 PROM亲
程序员通常通过提高访问特征码
A9到高电压（VID） 。但是，高复
电压到地址线一般不被期望的系
统的设计实践。
该MX29F800T / B包含一个硅-ID-读操作
化，以补充传统的PROM编程甲
odology 。通过写入读出开始的操作
硅ID命令序列进入命令稳压
存器。以下的命令写入，读出周期与
A1 = VIL ， A0 = VIL检索C2H的制造商代码/
00C2H 。读周期与A1 = VIL ， A0 = VIH返回
D6H的设备代码/ 22D6H为MX29F800T ， 58H / 2258H
为MX29F800B 。
表3.膨胀硅ID CODE
引脚
生产代码
器件代码
对于MX29F800T
器件代码
对于MX29F800B
扇区保护
验证
字节
字节
字节
A0
字VIL
VIL
VIH
VIH
X
X
字VIH
字VIH
A1
VIL
VIL
VIL
VIL
VIL
VIL
Q15~Q8 Q7 Q6 Q5
00H
X
22H
X
22H
X
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
Q4 Q3 Q2 Q1 Q0代码（十六进制）
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
00C2H
C2H
22D6H
D6H
2258H
58H
01H （受保护）
00H （无保护）
VIH X
VIH X
P / N ： PM0578
REV 。 1.7 ，七月24 ， 2001年
8
MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
