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MX29F800TTC-12 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MX29F800TTC-12
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内容描述: 8M - BIT [ 1Mx8 / 512Kx16 ] CMOS FLASH MEMORY [8M-BIT [1Mx8/512Kx16] CMOS FLASH MEMORY]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 42 页 / 693 K
品牌: MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
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MX29F800T/B
自动编程
该MX29F800T / B是使用非盟字节可编程
tomatic编程算法。自动亲
编程算法使得外部系统不
需要有超时序列也不以验证数据
编程。典型的芯片编程时间
该MX29F800T / B的房间的温度低于8
秒。
自动擦除算法
旺宏的自动擦除算法需要用户
使用标写命令到命令寄存器
准微处理器写时序。该装置将盟
tomatically预编程和验证整个阵列。然后
该装置自动倍擦除脉冲宽度,
提供了擦除验证,并进行计数的数目
的序列。状态位次连续之间切换
略去读周期提供反馈给用户作为对
编程操作的状态。
寄存器的内容作为输入到内部语句
机器控制的擦除和编程税务局局长
cuitry 。在写周期中,指令寄存器间
应受锁存器所需的编程地址和数据
明和擦除操作。在系统写周期
地址被锁存的下降沿,并且数据是
锁存WE的上升沿或CE ,取其hap-
笔先。
MXIC的Flash技术结合多年的EPROM
经验,生产质量的最高水平,可靠
能力,和成本效益。该MX29F800T / B elec-
trically同时擦除福勒使用的所有位
Nordheim隧穿。该字节由美中编程
荷兰国际集团的热elec-的EPROM编程机制
tron的注入。
在一个程序周期中,状态机将控制
该程序序列和指令寄存器不会
响应任何命令集。在一个扇区擦除
周期中,命令寄存器将只响应擦除
暂停命令。擦除暂停结束后,
该设备停留在读取模式。状态机之后,
已经完成了它的任务,它将使命令寄存器
之三,以应对其完整的命令集。
自动芯片擦除
整个芯片采用10毫秒的脉冲擦除批量擦除
根据旺宏的自动芯片擦除算法。
典型擦除在室温下完成
在小于8秒。自动擦除算法
自动程序electri-之前,整个阵列
CAL擦除。电擦除的定时与验证
在设备内的内部控制。
自动扇区擦除
该MX29F800T / B为界(S )可擦除使用MXIC的
自动扇区擦除算法。扇区擦除模式AL-
该阵列的低阶层在一个擦除周期被擦除。
自动扇区擦除算法自动
程序之前,电擦除指定扇区的。
定时和验证电擦除的被CON组
该装置内的内部控制。
自动编程算法
旺宏的自动编程算法要求
用户只写程序建立命令(包括
2解锁写周期和A0H )和一个程序命令
(节目数据和地址)。自动装置
次编程脉冲宽度,提供了亲
克验证,并计算序列的数量。
类似的数据轮询和状态位状态位瓶酒
连续的读周期之间岭大战,提供馈
回给用户以编程的状态
操作。
P / N : PM0578
REV 。 1.7 ,七月24 , 2001年
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