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HAL824UT-K 参数 Datasheet PDF下载

HAL824UT-K图片预览
型号: HAL824UT-K
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内容描述: 高精度可编程线性霍尔效应传感器系列 [High-Precision Programmable Linear Hall-Effect Sensor Family]
分类和应用: 传感器
文件页数/大小: 32 页 / 1642 K
品牌: MICRONAS [ MICRONAS ]
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HAL82x
3.8 。开机操作
在T
J
=
−40
° C至+170 ° C,编程和锁定后。对于T典型特征
J
= 25 °C.
符号
POR
UP
POR
参数
上电复位电压( UP)
上电复位电压( DOWN )
分钟。
数据表
典型值。
3.4
3.0
马克斯。
单位
V
V
3.9 。过压和欠压检测
在T
J
=
−40
° C至+170 ° C,对于T典型特征
J
= 25°C ,经过编程和锁定
符号
V
DD ,紫外线
V
DD , OV
1)
参数
欠压检测水平
过电压检测水平
PIN号
1
1
分钟。
8.5
典型值。
4.2
8.9
马克斯。
4.3
10.0
单位
V
V
测试条件
1)
1)
如果电源电压下降低于V
DD ,紫外线
或高于V
DD , OV
时,输出电压被切换到V
DD
V的( ≥97 %
DD
在r
L
= 10 kΩ到GND) 。
在CLAMP -LOW寄存器必须被设置为一个电压
200毫伏。
注:只锁定传感器后的过压和欠压检测被激活!
3.10 。磁特性
在T
J
=
−40
° C至+170 ° C,V
DD
= 4.5 V至5.5 V , GND = 0 V编程和锁定后,
在推荐工作条件,如果没有其他的栏目“条件”规定。
对于T典型特征
J
= 25° C和V
DD
= 5 V.
符号
B
OFFSET
ΔB
OFFSET
/ΔT
参数
磁偏移
磁补偿更改
由于与T
J
PIN号
3
分钟。
−0.5
−10
典型值。
0
0
马克斯。
0.5
10
单位
mT
μT / K
测试条件
B = 0 mT的,我
OUT
= 0 mA时,T
J
= 25 °C,
未经调整的传感器
B = 0 mT的,我
OUT
= 0毫安
22
2009年2月3日; DSH000143_003EN
MICRONAS