HAL82x
4.4 。环境温度
数据表
温度
对COEF网络cient
磁铁（ ppm的/ K）的
−500
−600
−700
−800
−900
−1000
−1100
−1200
−1300
−1400
−1500
−1600
−1700
−1800
−1900
−2000
−2100
−2200
−2400
−2500
−2600
−2800
−2900
−3000
−3100
−3300
−3500
TC-范围
TC
TCSQ
1
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
31
28
24
20
16
16
12
12
8
4
4
0
31
28
28
24
24
20
16
14
12
8
8
4
4
0
0
2
1
3
6
7
2
5
0
3
7
1
6
6
7
2
6
1
0
5
5
1
6
3
7
1
4
由于内部功耗，温度
在硅芯片上（结温度T
J
）较高
比包外部的温度（环境
温度T
A
).
T
J
=
T
A
+
Δ
T
在静态条件和连续操作中，跟着
以下公式适用于：
Δ
T
=
I
DD
×
V
DD
×
R
THJ
对于典型的价值观，用典型的参数。为
最坏的情况计算，可使用最大。对于参数
I
DD
和R
th
和最大值。值V
DD
从应用程序
阳离子。
对于V
DD
= 5.5 V ，R
th
= 235 K / W ，而我
DD
= 10 mA时，
温差
ΔT
= 12.93 K.
对于所有的传感器，结温度T
J
是试样
田间。最高环境温度T
AMAX
可以
计算公式如下：
T
AMAX
=
T
LMAX
–
Δ
T
4.5 。 EMC和ESD
该HAL82x是专为稳定的5 V电源。
干扰和干扰沿线进行
12 V主板系统（产品标准ISO 7637
第1部分）是不相关的这些应用。
通过电容或干扰应用程序
电源线路上的电感耦合或辐射扰动
bances ，在图中所示的应用电路。 4-1是消遣
ommended 。这种结构的应用程序应该
根据产品标通过EMC测试
dards ISO 7637第3部分（电快速瞬变transmis-
通过电容或电感耦合锡永） 。
请联系Micronas公司的详细调查
报告与EMC和ESD的结果。
注意：
只有上面的表格显示了一些近似
值。微开建议使用TC-
Calc软件找到temper-最佳设置
ATURE系数。请联系Micronas公司的
更详细的信息。
24
2009年2月3日; DSH000143_003EN
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