数据表
HAL82x
- 读寄存器（见图5-3 ）。
评价此命令时，传感器的答案后
与应答位， 14个数据位，而
在输出数据的校验位。
- EEPROM编程细胞（见图5-4 ）。
评价此命令时，传感器的答案后
与应答位。后的延迟时间t
w
,
在电源电压上升到编程电压
年龄。
- 激活传感器（见图5-5 ）。
如果多于一个传感器被连接到电源
线，可以选择先失能做就做
传感器。所有传感器的输出将被拉到
地面由内部10 kΩ的电阻。随着爱科特
瓦泰岛脉冲在适当的输出引脚，一个individ-
UAL传感器可以被选择。所有下面的命令
将仅由被激活的传感器所接受。
5.编程传感器
5.1 。编程脉冲的定义
该传感器通过调制的串行长焦附加镜寻址
克的电源电压。该传感器与答案
在输出引脚串行电报。
在串行报文位有不同的位时间
对于V
DD
-line和输出。位时间为
V
DD
直插通过同步位的长度定义
在每个报文的开始。位时间为
输出通过应答位定义。
一个逻辑“0”被编码为内部的无电压变化
位时间。逻辑“1”被编码为一个电压变化
在50％和80％的比特时间。之后的每个比特，一个
电压发生变化。
5.2 。电报的定义
V
DDH
t
r
t
p0
V
DDL
t
f
t
p0
每个报文开头的同步位（逻辑0 ） ，
3比特的命令（COM） ，该命令
奇偶校验位（CP）， 4位的地址（ADR） ，并且
地址校验位（ AP） 。
有4种报文：
- 写寄存器（见图5-2 ）。
美联社位之后，按照14位数据（ DAT ）和
数据的校验位（ DP ） 。如果报文是啥
命令已经被处理时，传感器的答案
上输出一个应答位（逻辑0 ） 。
逻辑0
or
V
DDH
逻辑1
V
DDL
t
p1
t
p0
or
t
p1
t
p0
图。 5-1 ：
的逻辑0和1的位定义
表5-1 ：
电报参数
符号
V
DDL
V
DDH
t
r
t
f
t
p0
t
噘
t
p1
V
DDPROG
t
PROG
t
rp
参数
电源电压为低电平
在编程过程中
电源电压为高电平
在编程过程中
上升时间
下降时间
位时间V
DD
位时输出引脚上
电压变化为逻辑1
电源电压为
EEPROM编程
编程时间EEPROM
上升的编程电压的时间
针
1
1
1
1
1
3
1, 3
1
1
1
分钟。
5
6.8
典型值。
5.6
8.0
马克斯。
6
8.5
0.05
0.05
1.8
4
80
12.6
105
1
单位
V
V
ms
ms
ms
ms
%
V
ms
ms
t
p0
通过SYNC位定义
t
噘
通过定义
应答位
％T的
p0
或T
噘
备注
−
−
1.7
2
50
12.4
95
0.2
−
−
1.75
3
65
12.5
100
0.5
MICRONAS
2009年2月3日; DSH000143_003EN
25
MICRONAS [ MICRONAS ]
