4Mb
SMART 3 BOOT BLOCK FLASH MEMORY
参数块
这两个8KB参数块存储不那么敏感，
更频繁地改变系统参数，并且还
可以存储配置或诊断编码。这些
启用了擦除时， V形块
PP
引脚为V
PPH
.
无需超电压解锁或WP ＃控制。
主内存模块
其余四个块是通用
内存块，并且不需要对一个超电压
RP ＃或WP ＃控制被擦除或写入。这些块
旨在用于代码存储， ROM驻留的应用
需要系统蒸发散或操作系统中的系统更新
能力。
锁存OE ＃或CE ＃下降沿为准
去年发生。如果状态寄存器的内容改变
状态寄存器的读操作过程中，无论是OE ＃或CE ＃
而另一个则保持低电平，更新可以切换
输出。
经过写或擦除，设备automati-
美云进入状态寄存器读模式。此外，一个
一个写在读或擦除生产状态
登记在DQ0 - DQ7内容。当该装置处于
擦除挂起模式，读操作产生的
状态寄存器的内容，直到另一个命令是 -
起诉。在某些其他模式，读状态寄存器
TER可给予返回到状态寄存器读出
模式。所有的命令及其操作说明
在命令集和命令的执行部分。
识别寄存器
两个8位的设备识别寄存器A读
需要相同的输入序列作为一个READ
数组。 WE＃要高，和OE ＃和CE ＃必须
低。然而， ID寄存器的数据被输出仅在DQ0-
的DQ7 ，无论BYTE ＃的条件
MT28F400B3 。 A0是用两个字节之间进行解码
的设备ID寄存器;所有其他地址输入
“不在乎。 ”当A0为低，生产厂家的COM
兼容性ID是输出，而当A 0为高电平时，该装置
号被输出。 DQ8 - DQ15是高阻时， BYTE ＃为低。
当BYTE ＃为高电平， DQ8 - DQ15是00H时
制造商兼容性ID被读取并且44小时时
装置ID被读出。
去识别寄存器读取模式，读取
鉴定可发出，而该设备在
某些其他模式。此外，该识别寄存器
器读出模式可以通过应用超电压达到
年龄（V
ID
）的A9引脚。使用这种方法时，ID寄存器
可以读取，而该设备在任何模式。当A9是
返回到V
IL
或V
IH
，设备返回到前一个
模式。
输出（读取）操作
该MT28F004B3和MT28F400B3功能3昼夜温差
同的类型的读操作。根据当前的模式
该装置中，一个读操作产生的数据从
存储器阵列，状态寄存器或设备标识
注册。在每个这些三种情况下，在WE ＃ ， CE＃和
OE＃输入被控制以类似的方式。移动
模式，以执行特定的读之间描述
在该命令执行部。
存储阵列
要读取的存储器阵列， WE＃要高，而
OE ＃和CE ＃必须为低电平。有效数据是在输出
当这些条件得到满足DQ引脚和
有效地址被给出。有效的数据保留在DQ引脚
直到地址变更，或直到OE ＃或CE ＃变高时，
以先到为准。 DQ管脚继续输出
各地址变换后的新的数据，只要OE＃和
CE＃保持低电平。
该MT28F400B3具有可选的总线宽度。
当存储阵列进行访问的256K ×16 ，字节＃
为高电平，而数据是关于DQ0 - DQ15输出。要访问
存储阵列作为512K ×8 ， BYTE ＃要低， DQ8-
DQ14必须是高阻抗，并且所有的数据必须在输出
DQ0 - DQ7 。在DQ15 / A - 1引脚变为最低或 -
明镜地址输入，使524,288的位置可以被读取。
上电后或复位后，设备会自动为
阵列中的读取模式。所有的命令及其操作
系统蒸发散在的命令集和命令描述
执行部分。
状态寄存器
执行状态寄存器的读要求
相同的输入序列作为数组的一个READ所不同的是
地址输入“不在乎。 ”在状态寄存器
内容始终在DQ0 - DQ7输出，无论
的BYTE ＃上MT28F400B3的条件。 DQ8 - DQ15
是低字节时＃高， DQ8 - DQ14是高
ž当BYTE ＃为低。从状态寄存器的数据
4MB 3智能引导块闪存
F45_3.p65 - 修订版3 ，酒吧。 12/01
投入运营
DQ管脚被使用，也可以将数据输入到所述阵列
或者输入一个命令，以对CEL 。命令输入
发出一个8位命令用来对CEL控制模式
的装置的操作。一个写的是用来输入数据
到存储器阵列。下面一节介绍
这两种类型的输入。描述如何的更多信息
使用这两种类型的输入，以便写入或擦除器件是
在该命令执行部提供。
COMMANDS
要执行的命令输入， OE ＃要高，
和CE ＃和WE ＃必须为低电平。地址是“不要
关心“，但必须保持稳定，除在擦除过程中
CONFIRM （在后面的章节中描述） 。 8位的COM
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