4Mb
SMART 3 BOOT BLOCK FLASH MEMORY
功能说明
该MT28F004B3和MT28F400B3闪存设备IN-
公司多项功能非常适合于系统
固件。存储器阵列被分割为indi-
维杜阿尔擦除块。每个块可在不擦除
影响存储在其它块中的数据。这些内存
读取，写入和擦除命令块
命令执行逻辑（ CEL） 。在CEL控制
内部状态机的操作（ ISM），它
完全控制所有的写入，块擦除和校验。
操作。供应管理协会从保护每个存储单元
过擦除和优化了每个存储器位置
最大数据保留。此外，在ISM大大
简化了所需的写入装置的控制IN-
系统或外部编程。
功能描述提供了详细的Infor公司
息上的MT28F004B3的操作和
MT28F400B3并分为以下部分：
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概观
内存架构
输出（读取）操作
投入运营
命令集
ISM状态寄存器
命令执行
错误处理
写/擦除周期耐力
电源使用
上电
硬件保护BOOT BLOCK
存储器阵列的这个块可以被擦除或
只写了当RP ＃引脚采取V
HH
或者当
WP ＃引脚被带来了HIGH 。这提供了额外的SECU-
期间在系统固件RITY用于芯固件
更新应该是无意的电源波动或
系统复位时。该MT28F004B3和MT28F400B3
可与引导块在底部开始
的地址空间（“B”后缀）或地址的顶部
空间（ “T”后缀） 。
可选择的总线宽度（ MT28F400B3 ONLY）
该MT28F400B3允许选择一个8位的
（ 512K ×8）或16位（ 256K ×16）的数据总线，用于读出和
写入存储器。将BYTE ＃引脚用于选择
总线宽度。在x16的配置中，控制数据被读出
或只写上的低8位（ DQ0 - DQ7 ） 。
数据写入到存储器阵列采用了所有有效
数据引脚选择配置。当X8
被选择的配置中，数据被写在字节表
当选择了x16的配置中，数据被写在
词形。
内部状态机（ ISM ）
块擦除和字节/字写时间是
简化的ISM控制所有擦除和写入
算法的存储器阵列中。在ISM确保保护
化对过度擦除和写入优化保证金
每个单元格。
在写操作时， ISM自动IN-
crements和显示器WRITE尝试，验证写
缘上的每个存储单元和更新在ISM状态
注册。当块擦除完成时， ISM
自动覆盖整个寻址块
（避免过度擦除） ，增量和显示器
ERASE的尝试，并在ISM状态寄存器组中的位。
ISM状态寄存器
在ISM状态寄存器允许外部处理器
写和擦除过程中监视ISM的状态
操作。两个位的8位的状态寄存器的设定和
完全由ISM清零。这些位表示是否
ISM是忙于写或擦除任务时
ERASE已经暂停。额外的错误信息
化被设置在另外三个位： V
PP
状态，写状态和
擦除状态。
命令执行逻辑（ CEL ）
对CEL接收并解释命令到
装置。这些命令控制的操作
ISM和读出的路径（即，存储器阵列， ID寄存器或
状态寄存器）。命令可能会发给CEL
而ISM处于活动状态。但是，也有上限制
概观
3 SMART技术（ B3 ）
智能3技术允许最大的灵活性IN-
系统读取，写入和擦除操作。写和
擦除操作可与V执行
PP
电压
3.3V或5V 。由于工艺技术的进步， 5V V
PP
is
最适用于应用及生产编程。
7个可独立擦除存储器
块
该MT28F004B3和MT28F400B3被组织成
7个可独立擦除的存储块，使
在不影响要被擦除的存储器的部
其余的内存数据。一个特殊的引导块是硬
洁具，防止意外的删除或书面
需要在RP ＃引脚或驾驶或者超电压
在WP ＃引脚为高电平。一这两个条件必须
沿着与V存在
PP
电压在V （ 3.3V或5V ）
PP
针
引导块上执行写或擦除之前。
剩余的块只需要在V
PP
电压
本上在V
PP
引脚写入或擦除之前。
4MB 3智能引导块闪存
F45_3.p65 - 修订版3 ，酒吧。 12/01
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