4Mb
SMART 3 BOOT BLOCK FLASH MEMORY
被允许在该状态下什么命令。见
命令执行部了解更多详细信息。
深度掉电模式
为了实现最大的节能的
MT28F004B3和MT28F400B3配备了非常低的电流
租金，深度掉电模式。要进入此模式下，
RP ＃引脚被送往V
SS
± 0.2V 。在这种模式下，电流
平局是最大8μA在3.3V V
CC
。进入深
掉电也清除状态寄存器并设置
ISM到读阵列模式。
张塌塌米，一个超电压（V
HH
）被应用到RP ＃或
在WP ＃引脚驱动为高电平前擦除的COM -
menced 。引导块是用于核心固件
需要进行系统的基本功能。其余
6块不需要上述两个条件是
写之前达到或擦除操作。
BOOT BLOCK
硬件保护的引导块提供了额外的
安全固件的最敏感的部分。
这16KB的块只能被擦除或写入时，
RP ＃引脚为指定的引导块解锁电压（V
HH
)
12V或当WP ＃引脚为V
IH
。在写或
引导块擦除时， RP ＃引脚必须在V举行
HH
或WP ＃引脚保持高电平，直到擦除或写为
完成。在V
PP
引脚必须在V
PPH
（ 3.3V或5V ）时，
引导块被写入或擦除。
该MT28F004B3和MT28F400B3都可用
两种配置和顶部或底部引导块。顶部
引导块版本支持的86多种处理器。
底部引导块版本适用于680X0和
RISC应用程序。图1示出的存储器AD-
穿衣搭配这两个版本的相关地图。
内存架构
该MT28F004B3和MT28F400B3存储阵列
体系结构被设计成允许部分待擦除
不干扰阵列的其余部分。该阵列是
分成大小不同的7块寻址
并独立地是可擦除的。当块而不是
整个阵列被删除，器件总耐力
增强的，为的是系统的灵活性。只有ERASE功能
化是面向块。所有的读写操作
关于随机存取基础完成的。
引导块被无意删除受保护
或与硬件保护电路，重新写
字地址字节地址
3FFFFh
7FFFFh
字地址
3FFFFh
3E000h
3DFFFh
3D000h
3CFFFh
3C000h
3BFFFh
字节地址
7FFFFh
16KB的引导块
128KB主座
30000h
2FFFFh
60000h
5FFFFh
7C000h
7BFFFh
7A000h
79FFFh
78000h
77FFFh
8KB参数块
8KB参数块
96KB主座
128KB主座
30000h
2FFFFh
60000h
5FFFFh
20000h
1FFFFh
40000h
3FFFFh
128KB主座
128KB主座
20000h
1FFFFh
40000h
3FFFFh
10000h
0FFFFh
20000h
1FFFFh
128KB主座
96KB主座
04000h
03FFFh
03000h
02FFFh
02000h
01FFFh
00000h
08000h
07FFFh
06000h
05FFFh
04000h
03FFFh
00000h
10000h
0FFFFh
20000h
1FFFFh
8KB参数块
8KB参数块
16KB的引导块
128KB主座
00000h
00000h
底部启动
MT28F004B3/400B3xx-xxB
热门引导
MT28F004B3/400B3xx-xxT
图1
内存地址映射
4MB 3智能引导块闪存
F45_3.p65 - 修订版3 ，酒吧。 12/01
8
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