欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

MT29F4G16ABBDAHC 参数 Datasheet PDF下载

MT29F4G16ABBDAHC图片预览
型号: MT29F4G16ABBDAHC
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 4GB,8GB ,16GB : X8 , X16 NAND闪存产品特点 [4Gb, 8Gb, 16Gb: x8, x16 NAND Flash Memory Features]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 132 页 / 1301 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
 浏览型号MT29F4G16ABBDAHC的Datasheet PDF文件第108页浏览型号MT29F4G16ABBDAHC的Datasheet PDF文件第109页浏览型号MT29F4G16ABBDAHC的Datasheet PDF文件第110页浏览型号MT29F4G16ABBDAHC的Datasheet PDF文件第111页浏览型号MT29F4G16ABBDAHC的Datasheet PDF文件第113页浏览型号MT29F4G16ABBDAHC的Datasheet PDF文件第114页浏览型号MT29F4G16ABBDAHC的Datasheet PDF文件第115页浏览型号MT29F4G16ABBDAHC的Datasheet PDF文件第116页  
美光科技公司机密和专有
4GB,8GB ,16GB : X8 , X16 NAND闪存
电气规格
表25 :电容
注意事项1-3适用于所有的参数和条件
描述
符号
输入电容
输入/输出电容( I / O)
注意事项:
C
IN
C
IO
最大
10
10
单位
pF
pF
1,这些参数在设备特性验证,并非100 %测试。
2.测试条件:T已
C
= 25°C ; F = 1兆赫; V
IN
= 0V.
3.电容(C
IN
= C
IO
= 20pF的)的MT29F8G和(C
IN
= C
IO
= 40pF )的MT29F16G 。
表26 :试验条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
输出负载
1.8V
3.3V
价值
0.0V至V
CC
2.5ns
5.0ns
V
CC
/2
1 TTL门和CL = 30pF的( 1.8V )
1 TTL门和CL = 50pF的( 3.3V )
1 TTL门和CL = 30pF的( 1.8V )
1 TTL门和CL = 50pF的( 3.3V )
注意:
1.在验证设备特性,而不是100 %测试。
笔记
PDF : 09005aef83b25735
m60a_4gb_8gb_16gb_ecc_nand.pdf - 牧师ñ 10/12 EN
112
美光科技公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
©
2009年美光科技公司保留所有权利。