美光科技公司机密和专有
4GB，8GB ，16GB ： X8 ， X16 NAND闪存
电气规格 - 直流特性和操作
条件
表28 ：直流特性和工作条件（ 1.8V ）
参数
连续读取电流
编程电流
擦除电流
待机电流（ TTL ）
待机电流（ CMOS ）
交错电电流
租金
输入漏电流
输出漏电流
输入高电压
t
RC
条件
=
t
RC （ MIN ） ; CE＃ = V
IL
;
I
OUT
= 0毫安
–
–
CE＃ = V
IH
;
WP ＃ = 0V / V
CC
CE＃ = V
CC
- 0.2V;
WP ＃ = 0V / V
CC
上升时间为1ms
线路电容= 0.1μF
V
IN
= 0V至V
CC
V
OUT
= 0V至V
CC
I / O [ 7 ： 0 ] I / O [ 15 ： 0 ]
CE ＃ ， CLE ， ALE ， WE＃ ， ＃ RE ，
WP ＃
–
I
OH
= –100µA
I
OL
= +100µA
V
OL
= 0.2V
注意事项：
符号
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
SB1
I
SB2
I
ST
I
LI
I
LO
V
IH
民
–
–
–
–
–
–
–
–
0.8× V
CC
典型值
13
10
10
–
10
–
–
–
–
最大
20
20
20
1
50
10％的模具
±10
±10
V
CC
+ 0.3
单位
mA
mA
mA
mA
µA
mA
µA
µA
V
笔记
输入低电压，所有IN-
看跌期权
输出高电压
输出低电压
输出低电平电流（ R / B＃ ）
V
IL
V
OH
V
OL
I
OL
（ R / B ＃ ）
–0.3
V
CC
- 0.1
–
3
–
–
–
4
0.2× V
CC
–
0.1
–
V
V
V
mA
1.典型和最大数值仅用于单平面的操作。如果设备支持双
平面操作，值20毫安（典型值）和40毫安（ MAX） 。
2.数值为单芯片的操作。值可能会更高交错模操作
系统蒸发散。
3.测量是采取1ms的平均间隔，并开始V后
CC
到达
V
CC
（最小值） 。
4.测试条件V
OH
和V
OL
.
5.直流特性，可能需要放宽，如果R / B ＃下拉强度没有被设置为满。
PDF ： 09005aef83b25735
m60a_4gb_8gb_16gb_ecc_nand.pdf - 牧师ñ 10/12 EN
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