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MT46V16M16FJ-6 参数 Datasheet PDF下载

MT46V16M16FJ-6图片预览
型号: MT46V16M16FJ-6
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内容描述: 双倍数据速率DDR SDRAM [DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM]
分类和应用: 内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
文件页数/大小: 8 页 / 152 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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初步
256MB : X4,X8 , X16
DDR333 SDRAM补遗
引脚说明(续)
球/ PIN号码
FBGA
TSOP
A8 ,B9, B7
C9 ,C7, D9
D7 , E9 , E1
D3 ,D1, C3
C 1 ,B 3 ,B 1,
A2
A8, B7 ,C7
D7 ,D3 ,C3
B3 , A2
B7, D7 ,D3
B3
E3
E7, E3
2, 4, 5,
7, 8, 10
11, 13, 54
56, 57, 59
60, 62, 63,
65
2, 5, 8,
11, 56, 59
62, 65
5, 11, 56
62
51
16, 51
符号
DQ0-2
DQ3-5
DQ6-8
DQ9-11
DQ12-14
DQ15
DQ0-2
DQ3-5
DQ6-7
DQ0-2
DQ2
的DQ
LDQS , UDQS
TYPE
I / O
描述
数据输入/输出:数据总线
x16
I / O
数据输入/输出:数据总线
x8
I / O
I / O
数据输入/输出:数据总线
x4
数据选通:输出与读出的数据,输入与写入数据。 DQS是
边沿对齐的读数据,集中在写入数据。它被用来
采集的数据。对于X16 , LDQS是DQS的DQ0 - DQ7和UDQS
IS DQS的DQ8 - DQ15 。引脚16 ( H7 )是NC在x4和x8 。
无连接:这些引脚悬空。
不要使用:必须浮到Vref的减少噪音
DQ电源: + 2.5V ± 0.2V 。在模具中分离得到改善
抗干扰能力。
DQ地面。查出的模具,以提高抗噪声能力。
电源: + 2.5V ± 0.2V 。
地面上。
SSTL_2参考电压。
地址输入A13为1Gb的设备。
14, 17, 25,
43, 53
19, 50
B 2, D 2, C 8 ,3, 9 ,15, 55 ,
E8 , A9
61
A 1, C 2, E 2 ,6, 12 ,52,
B8 , D8
58, 64
F8 , M7 , A7
A1,A3 ,F2
M3
F1
F9
49
17
1, 18, 33
34, 48, 66
NC
DNU
V
DD
Q
V
SS
Q
V
DD
V
SS
V
REF
A13
-
供应
供应
供应
供应
供应
I
256MB : X4,X8 , X16 DDR333 SDRAM
256Mx4x8x16DDR333_B.p65 - 版本B ;酒馆。 10/01
5
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