初步
256MB ： X4，X8 ， X16
DDR333 SDRAM补遗
电气特性和推荐AC工作条件
（注： 1-5 ， 14-17 ， 33 ，音符将出现在DDR200 / 266的数据表）
(0°C
≤
T
A
≤
70 ℃; V
DD
Q = + 2.5V ± 0.2V ，V
DD
= +2.5V ±0.2V)
AC特性
参数
的DQS从CK / CK ＃访问窗口
CK高电平宽度
CK低电平宽度
时钟周期时间
符号
t
AC
t
CH
t
CL
CL = 2.5
t
对照（2.5）
t
对照（2）
CL = 2
t
DH
DQ和DM输入保持相对DQS时间
t
DS
DQ和DM输入建立时间相对于DQS
t
DIPW
DQ和DM输入脉冲宽度（每个输入）
t
DQSCK
的DQS从CK / CK ＃访问窗口
t
DQSH
DQS输入高电平脉冲宽度
t
DQSL
DQS输入低脉冲宽度
DQS -DQ歪斜， DQS到最后DQ有效的，每个组，每个接入
t
DQSQ
t
DQSS
写命令到第一个DQS闭锁过渡
t
DSS
DQS下降沿到CK上升 - 建立时间
t
DSH
DQS从CK瑞星下降沿 - 保持时间
t
HP
半个时钟周期
t
HZ
从CK / CK ＃数据输出高阻抗窗口
t
LZ
从CK / CK ＃数据输出低阻抗窗口
t
IH
地址和控制输入保持时间（快速压摆率）
F
t
IS
地址和控制输入设置时间（快速压摆率）
F
t
IH
地址和控制输入保持时间（慢摆率）
S
t
IS
地址和控制输入设置时间（慢摆率）
S
t
IPW
地址和控制输入脉冲宽度
t
MRD
加载模式寄存器命令周期时间
t
QH
DQ- DQS持有， DQS先DQ去非有效，每次访问
数据保持倾斜因子
ACTIVE到AUTOPRECHARGE命令
至预充电命令
主动对主动/自动刷新命令期
自动刷新命令期
ACTIVE读取或写入延迟
预充电命令期
DQS读序言
DQS阅读后同步
有效的银行
a
为ACTIVE银行
b
命令
DQS写序言
DQS写序言建立时间
DQS写后同步
写恢复时间
内部写读命令延迟
数据有效输出窗口
刷新以刷新命令间隔
平均周期刷新间隔
终止电压延迟到V
DD
退出自刷新非读命令
退出自刷新，以读取命令
t
QHS
t
RAP
t
RAS
t
RC
t
RFC
t
RCD
t
RP
t
RPRE
t
RPST
t
RRD
t
WPRE
t
WPRES
t
WPST
t
WR
t
WTR
na
t
REFC
t
REFI
t
VTD
t
XSNR
t
XSRD
-6 （ FBGA ）
民
最大
-0.7
+0.7
0.45
0.55
0.45
0.55
6
13
7.5
13
0.45
0.45
1.75
-0.60
+0.60
0.35
0.35
0.35
0.75
1.25
0.2
0.2
t
CH ，
t
CL
+0.70
-0.70
0.75
0.75
0.80
0.80
2.2
12
t
HP
-
t
QHS
0.50
18
42
70,000
60
72
18
18
0.9
1.1
0.4
0.6
12
0.25
0
0.4
0.6
15
1
t
QH -
t
DQSQ
70.3
7.8
0
75
200
-6T （ TSOP ）
-75Z
民
最大
民
最大值单位备注
-0.7
+0.7
-0.75
+0.75
ns
t
CK
0.45
0.55
0.45
0.55
30
t
CK
0.45
0.55
0.45
0.55
30
6
13
7.5
13
ns
45,52
7.5
13
7.5
13
ns
45,52
0.45
0.50
ns
26,31
0.45
0.50
ns
26,31
1.75
1.75
ns
31
-0.60
+0.60 -0.75
+0.75
ns
t
CK
0.35
0.35
t
CK
0.35
0.35
0.45
0.50
ns
25, 26
t
CK
0.75
1.25
0.75
1.25
t
CK
0.2
0.2
t
CK
0.2
0.2
t
CH ，
t
CL
t
CH ，
t
CL
ns
34
+0.70
+0.75
ns
18,42
-0.70
-0.75
ns
18,43
0.75
0.90
ns
14
0.75
0.90
ns
14
0.80
1
ns
14
0.80
1
ns
14
2.2
2.2
ns
12
15
ns
t
HP
t
HP
ns
25, 26
t
QHS
t
QHS
-
-
0.60
0.75
ns
18
20
ns
46
42
70,000
40
120000 NS
35
60
65
ns
72
75
ns
50
18
20
ns
18
20
ns
t
CK
0.9
1.1
0.9
1.1
42
t
CK
0.4
0.6
0.4
0.6
12
15
ns
t
CK
0.25
0.25
0
0
ns
20, 21
t
CK
0.4
0.6
0.4
0.6
19
15
15
ns
t
CK
1
1
t
QH -
t
DQSQ
t
QH -
t
DQSQ
ns
25
70.3
70.3
µs
23
7.8
7.8
µs
23
0
0
ns
75
75
ns
t
CK
200
200
256MB ： X4，X8 ， X16 DDR333 SDRAM
256Mx4x8x16DDR333_B.p65 - 版本B ;酒馆。 10/01
7
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