初步
256MB ： X4，X8 ， X16
DDR333 SDRAM补遗
概述
在DDR333 SDRAM是高速CMOS ，镝
其工作于频动力学随机存取存储器
167 MHz的昆西（
t
CK = 6ns的） ，峰值数据传输
FER率333MB / S / P的。 DDR333继续使用
JEDEC标准SSTL_2接口和
2n-prefetch
体系结构。
标准的DDR200 / DDR266的数据表还
涉及到的DDR333设备和应参考
对于DDR SDRAM功能 - 完整描述
先进而精湛和操作模式。然而，为了满足更快
DDR333的工作频率，一些AC时机
参数略有收紧。本增编数据
表将集中在所需要的主要差异
以支持增强的速度。
除了标准的66针TSOP封装，
60球FBGA封装用于DDR333 。这
JEDEC定义的包装有利于更好地包款
SITIC参数和更小的空间。
电容（ FBGA ）
（注： 1-5 ， 14-17 ， 33 ，音符将出现在DDR200 / 266的数据表）
(0°C
≤
T
A
≤
70 ℃; V
DD
Q = + 2.5V ± 0.2V ，V
DD
= +2.5V ±0.2V)
参数
三角洲输入/输出电容：
的DQ ， DQS ， DM （为x4或x8的设备）
DQ0 - DQ7 ， LDQS ， LDM （对于x16设备的低字节）
DQ8 - DQ15 ， UDQS ， UDM （对于x16设备的高字节）
三角洲输入电容：命令和地址
三角洲输入电容： CK ， CK ＃
输入/输出电容：的DQ ， DQS ， DM （ LDQS ， LDM ， UDM ）
输入电容：命令和地址
输入电容： CK ， CK ＃
输入电容： CKE
DC
IO
DC
IO
DC
IO
DC
I
1
DC
I
2
C
IO
C
I
1
C
I
2
C
I
3
–
–
–
–
–
3.50
1.50
1.50
1.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.25
4.00
2.50
2.50
2.50
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
13, 24
13, 24
13, 29
13, 29
13, 29
13
13
13
13
符号
民
最大
单位
笔记
电容（ TSOP ）
（注： 1-5 ， 14-17 ， 33 ，音符将出现在DDR200 / 266的数据表）
(0°C
≤
T
A
≤
70 ℃; V
DD
Q = + 2.5V ± 0.2V ，V
DD
= +2.5V ±0.2V)
参数
三角洲输入/输出电容：
的DQ ， DQS ， DM （为x4或x8的设备）
DQ0 - DQ7 ， LDQS ， LDM （对于x16设备的低字节）
DQ8 - DQ15 ， UDQS ， UDM （对于x16设备的高字节）
三角洲输入电容：命令和地址
三角洲输入电容： CK ， CK ＃
输入/输出电容：的DQ ， DQS ， DM （ LDQS ， LDM ， UDM ）
输入电容：命令和地址
输入电容： CK ， CK ＃
输入电容： CKE
DC
IO
DC
IO
DC
IO
DC
I
1
DC
I
2
C
IO
C
I
1
C
I
2
C
I
3
–
–
–
–
–
4.0
2.0
2.0
2.0
0.50
0.50
0.50
0.50
0.25
5.0
3.0
3.0
3.0
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
13, 24
13, 24
13, 24
13, 29
13, 29
13
13
13
13
符号
民
最大
单位
笔记
256MB ： X4，X8 ， X16 DDR333 SDRAM
256Mx4x8x16DDR333_B.p65 - 版本B ;酒馆。 10/01
6
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