1GB ： X4，X8 ， X16 DDR2 SDRAM
写
图61 ：写阅读
T0
T1
T2
T2n
T3
T3n
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T9n
CK ＃
CK
命令
写
银行
a,
COL
b
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
tWTR1
读
银行
a,
COL
n
NOP
NOP
NOP
地址
tDQSS （ NOM ）
DQS ， DQS ＃
DQ
DM
tDQSS （MIN）
DQS ， DQS ＃
DQ
DM
tDQSS （MAX）中
DQS ， DQS ＃
DQ
DM
WL ± tDQSS
2
CL = 3
DI
b
DI
WL - tDQSS
2
CL = 3
DI
b
DI
WL + tDQSS
2
CL = 3
DI
b
DI
数据转换
不在乎
注意事项：
1.
t
WTR需要遵循写入同一个设备的任何读，但不重新
模块之间的行列quired 。
2.后续DQS信号上升必须对准内的时钟
t
DQSS 。
3. DI
b
=数据在列
b;
DO
n
=数据从列
n.
4. BL = 4 ，AL = 0， CL = 3;因此， WL = 2 。
数据在5一后续元素在下面的DI设定的顺序应用
b.
6.
t
WTR从最后一个数据，在对后的第一个阳性对照缘引用。
7. A10为低使用写命令（自动预充电已禁用） 。
8.以满足所需的时钟周期数
t
WTR为2或
t
WTR /
t
对照，取
更大的。
PDF ： 09005aef821ae8bf
1GbDDR2.pdf - 牧师牛逼02/10 EN
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