1GB ： X4，X8 ， X16 DDR2 SDRAM
写
图60 ：写了写中断
T0
WRITE1
a
CK ＃
CK
命令
地址
A10
DQS ， DQS ＃
DQ
T1
NOP2
T2
WRITE3
b
T3
NOP2
T4
NOP2
T5
NOP2
T6
NOP2
T7
Valid4
T8
Valid4
T9
Valid4
Valid5
Valid5
Valid6
7
DI
a
DI
a
+1
DI
a
+2
DI
a
+3
7
DI
b
DI
b
+1
7
DI
b
+2
DI
b
+3
7
DI
b
+4
DI
b
+5
7
DI
b
+6
DI
b
+7
WL = 3
2时钟要求
WL = 3
数据转换
不在乎
注意事项：
1. BL = 8必需的，自动预充电，必须禁止（ A10 = LOW） 。
2. NOP或COMMAND INHIBIT命令是有效的。预充电命令不能
发给用于写在T0和T2银行。
3.中断WRITE命令必须准确发出2 ×
t
CK从以前的写操作。
4.最早写于预充电定时写在T0为WL + BL / 2 +
t
WR哪里
t
WR
开始用T7和T5没有（因为BL = 8的MR ，而不是截断长度） 。
5.写命令可以发给任何有效的银行和行地址（写入命令
在T0和T2可以是同一银行或不同银行） 。
6.自动预充电可以启用（ A10 = HIGH ）或禁用（ A10 = LOW）通过在 -
terrupting写命令。
7.随后DQS信号上升必须对准内的时钟
t
DQSS 。
8中所示实施例使用AL = 0; CL = 4 ，BL = 8 。
PDF ： 09005aef821ae8bf
1GbDDR2.pdf - 牧师牛逼02/10 EN
105
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
©
2004年美光科技公司保留所有权利。
MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
