1GB ： X4，X8 ， X16 DDR2 SDRAM
写
图58 ：连续的写 - 写
CK ＃
CK
命令
写
NOP
TCCD
WL = 2
地址
tDQSS （ NOM ）
DQS ， DQS ＃
DQ
DM
数据转换
不在乎
DI
b
银行，
COL
b
WL =
t
DQSS
银行，
COL
n
1
1
1
WL = 2
写
NOP
NOP
NOP
NOP
T0
T1
T1n
T2
T2n
T3
T3n
T4
T4n
T5
T5n
T6
DI
n
注意事项：
1.后续DQS信号上升必须对准内的时钟
t
DQSS 。
2. DI
b,
等=数据在列
b,
等等
数据在3随后的三个元素被应用在编程的顺序如下
DI
b.
数据在4随后的三个元素被应用在编程的顺序如下
DI
n.
5.图中所示与BL = 4 ，AL = 0， CL = 3;因此， WL = 2 。
6.每个写命令可能是任何一家银行。
图59 ：非连续写 - 写
CK ＃
CK
命令
写
NOP
WL = 2
地址
tDQSS （ NOM ）
DQS ， DQS ＃
DQ
DM
数据转换
不在乎
DI
b
DI
n
银行，
COL
b
WL ± tDQSS
银行，
COL
n
1
1
1
NOP
写
NOP
WL = 2
NOP
NOP
T0
T1
T2
T2n
T3
T3n
T4
T4n
T5
T5n
T6
T6n
注意事项：
1.后续DQS信号上升必须对准内的时钟
t
DQSS 。
2. DI
b
（或
n),
等=数据在列
b
（或列
n).
数据在3随后的三个元素被应用在编程的顺序如下
DI
b.
数据在4随后的三个元素被应用在编程的顺序如下
DI
n.
5.图中所示与BL = 4 ，AL = 0， CL = 3;因此， WL = 2 。
6.每个写命令可能是任何一家银行。
PDF ： 09005aef821ae8bf
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