16MB ： 1 MEG X16
EDO DRAM
页面访问
PAGE操作允许更快的数据操作（读，
写或读 - 修改 - 写）一个行向中
地址定义页边界。页面周期AL-
一个行地址发起的方式选通由RAS ＃ ，
接着是列地址选通，在由CAS＃ 。 AD-
ditional列可以通过提供有效的访问
列地址选通CAS＃和控股RAS ＃
低，从而更快地执行存储周期。回国
RAS ＃ HIGH终止操作的页面模式，
即，关闭该页面。
而RAS ＃依然很低，数据将过渡到与
保持高阻（参见图1 ） 。 WE＃也可以执行
禁用下CER的输出驱动器的功能
覃条件，如图2所示。
在一个应用程序中，如果DQ的输出线
或运算， OE ＃必须使用禁用的DRAM闲置的银行。
另外，脉冲WE＃空闲期间银行
CAS ＃高时间也将高阻抗输出。不知疲倦
OE ＃控制的吊灯，输出后会禁用
t
关，这是从RAS＃上升沿引用
或CAS ＃ ，先到为准过去。
EDO页模式
1梅格×16提供EDO页模式下，这是
加速FAST- PAGE -MODE周期。主
EDO的优势是数据输出的可用性，甚至
经过CAS ＃返回高电平。 EDO提供CAS ＃
预充电时间（
t
CP）的发生，而不输出数据
将无效。这消除CAS ＃输出控制
为流水线的读取。
FAST-页面模式的DRAM有传统
打开输出缓冲器关闭（高阻）的上升
对CAS＃边缘。 EDO -页面模式的DRAM一样操作
FAST-页面模式的DRAM ，除了数据将保持
在有效或生效后， CAS ＃变为高电平
读取提供RAS ＃和OE ＃保持低电平。如果OE ＃为
而脉冲RAS ＃和CAS ＃低，数据将切换
从有效数据到高阻并回到同一有效
数据。如果OE ＃翻转或脉冲后， CAS ＃变为高电平
BYTE存取周期
字节写和字节读取确定
通过使用CASL ＃和＃现金。启用CASL ＃ SE-
脉冲编码一个低字节访问（ DQ0 - DQ7 ） 。启用CASH ＃
选择一个高字节访问（ DQ8 - DQ15 ） 。启用
无论CASL ＃和＃现金选择一个字写周期。
1兆欧×16可以被看作是两个1兆×8个
拥有共同的输入控件，与EX-的DRAM
ception的CAS ＃输入。图3示出的字节
写和Word写周期。
此外，两个字节必须始终是相同的
操作的模式，如果两个字节都是活动的。一个CAS ＃
预充电必须改变模式之前满足
上部和下部的字节之间的操作。为前
充裕的，一个字节的早期写入和后写入
在其他字节在同一周期中是不允许的。
RAS ＃
V IH
V IL
CASL ＃ / ＃现金
V IH
V IL
ADDR
V IH
V IL
ROW
列（ A）
列（ B）
柱（ C）
COLUMN （ D）
DQ V IOH
V IOL
开放
有效数据（ A）
tWHZ
有效数据（ B）
tWHZ
输入数据（ C）
WE＃
V IH
V IL
V IH
V IL
tWPZ
OE ＃
DQS的进入高阻如果WE＃下降，而如果
t
WPZ得到满足，
将保持高阻直至CAS ＃变低，
WE ＃高（即，直到读周期开始） 。
可以用WE ＃禁用DQS的准备
在早期的写周期的输入数据。 DQS的
将保持高阻直至CAS ＃变低，
WE ＃高（即，直到读周期开始） 。
不在乎
未定义
图2
WE＃控制的DQS
1梅格×16 EDO DRAM
D52_B.p65 - 版本B ;酒馆。 3/01
3
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